高度集成的78M6613 SOC可最大限度地減少外部元件數(shù)量,以及減少印刷電路板布局設(shè)計(jì)的復(fù)雜性.但是,一些設(shè)計(jì)問題需要考慮,包括電路中石英體積,SMD晶振等多方面的問題,以獲得最佳的測量精度和可靠性本應(yīng)用筆記討論了以下主題：

•印刷電路板疊層

•晶體振蕩器組件

•LINE電壓電阻網(wǎng)絡(luò)

•分流電流傳感器

•雙出口2分流電流傳感器拓?fù)?/span>

•V3P3去耦電容

•在線仿真器連接器

•系統(tǒng)通信接口

本應(yīng)用筆記介紹了Teridian芯片的布局.它能夠滿足爬點(diǎn)和過關(guān).

印刷電路板疊加

78M6613采用2層印刷電路板疊層,可實(shí)現(xiàn)出色的測量精度.如果組分密度變得太高,導(dǎo)致平面溢流表面積不足,則為4層必須使用疊加.當(dāng)關(guān)鍵部件時(shí),平面溢流表面積不足本應(yīng)用筆記中沒有正確屏蔽和隔離外部噪聲或每個(gè)噪聲其他.此外,電路板表面區(qū)域必須有多個(gè)冗余連接路徑為各種電源和接地連接提供低阻抗路徑.

對于雙層印刷電路板,首先將78M6613所在的層指定為V3P3層.將相對圖層指定為地面圖層.以下有關(guān)各自的討論關(guān)鍵組件使用78M6613評估板作為示例.該板具有2層平面分配.請參閱附錄A中的原理圖.

圖1：V3P3層圖2：GND層

晶體振蕩器組件

32.768kHz晶振及其兩個(gè)27pF電容放置在GND層上.這允許石英晶體兩個(gè)電容器用接地屏蔽包圍.將XIN和XOUT過孔盡可能靠近放置可以連接到78M6613引腳.使用V3P3上的銅平面屏蔽XIN和XOUT信號(hào)過孔層

圖3：晶體Y1和電容器C20/C21 圖4：V3P3平面環(huán)繞晶體跡線

線電壓電阻網(wǎng)絡(luò)

將LINE電壓電阻網(wǎng)絡(luò)及其相關(guān)的濾波器組件放在V3P3層上.提供1MΩ電阻周圍有足夠的高壓隔離間隙.1000pF和0.1μF抗混疊電容放置在78M6613的ADC輸入引腳旁邊,用于檢測線路電壓（in這種情況是A0和A2）.將1000pF電容放置在最靠近78M6613的位置.提供一個(gè)V3P3平面GND層下的電壓電阻網(wǎng)絡(luò)組件.不包括1MΩ電阻,包括750ΩV3電阻,抗混疊電容以及V3P3平面上的A0和A2引腳.環(huán)繞這些V3P3層上帶有V3P3銅的組件.頂部和底部V3P3平面互連多個(gè)過孔提供低阻抗屏蔽.

圖5：線電壓電阻網(wǎng)絡(luò)

R16和R15是1MΩ電阻,C18和C28是抗混疊濾波器元件.

圖6：從GND層切出的V3P3平面

圖7：V3P3平面

分流電流傳感器將分流電阻及其相關(guān)SAW濾波器組件放在V3P3層上.提供足夠的分流電阻周圍的高壓隔離間隙.1000pF和0.1μF抗鋸齒電容器放置在78M6613的電流檢測輸入（A1和A3）引腳旁邊.放置1000pF電容最接近78M6613.在分流濾波器下方的GND層中提供V3P3平面組件.不包括分流電阻,包括750Ω電阻,抗混疊電容和A1此V3P3平面上有A3引腳和A3引腳.在V3P3層上使用V3P3銅環(huán)繞這些組件.頂部和底部V3P3平面與多個(gè)過孔互連,以提供低阻抗屏蔽.

圖8：并聯(lián)電流傳感器

R10是分流電阻,C15和C27是抗混疊濾波器元件.

雙出口2分流電流傳感器拓?fù)?/span>78M6613支持兩個(gè)電流傳感器,用于雙出口能量測量應(yīng)用.相同關(guān)于隔離間隙,抗混疊濾波器元件放置和V3P3和上面提出的GND平面屏蔽適用于雙分流印刷電路板布局.

雙出口2分流電流傳感器拓?fù)?/span>

但是,兩個(gè)分流器的放置是非常關(guān)鍵的印刷電路板布局考慮因素.他們倆分流器必須與其共同的中性連接相鄰且等距.表格相對于電流感測的低歐姆值,銅跡線的電阻不是“無關(guān)緊要的”分流.從NEUTRAL連接到兩者中的每一個(gè)的任何額外的跡線長度或不等的跡線長度分流器會(huì)產(chǎn)生測量誤差.

以下印刷電路板圖像（來自不同的評估板）顯示兩個(gè)分流器關(guān)閉靠近他們共同的NEUTRAL連接器.

圖9：雙分流拓?fù)?/span>

R15和R20是兩個(gè)電流感應(yīng)分流電阻.NEUTRAL連接器孔位于中間用于R15和R20的兩個(gè)表面貼裝墊.

V3P3去耦電容將1000pF和0.1μF電容放在78M6613的V3P3A引腳旁邊.添加一個(gè)22μF的大容量電容在V3P3D引腳附近.使用多個(gè)過孔連接從GND開出的V3P3平面層跨越V3P3層橋接.例如,A0,A1,A2,A3信號(hào)在其中產(chǎn)生島嶼V3P3層.下層V3P3平面將頂側(cè)V3P3平面重新連接為固體參考平面

圖10：V3P3通過連接

在線仿真器連接器

最小化ICE信號(hào)的走線長度.這最大限度地降低了EMI敏感度,減少了對EMI的需額外的抑制組件.增強(qiáng)了貼片晶振等原件的信號(hào).將ICE_EN下拉電阻靠近78M6613.地點(diǎn)它在ICE連接器上配有1000pF電容器.

系統(tǒng)通信接口78M6613與外部電路之間的任何系統(tǒng)通信接口（UART,SPI,I2C）必須隔離以適應(yīng)其GND引腳中的-3.3V差異（或者,如果是LINE,則）反轉(zhuǎn)）.根據(jù)不同的要求,必須有最小的間隙屏障隔離組件.最小要求是3mm的間隙.驗(yàn)證隔離組件最大阻隔電壓符合您的系統(tǒng)要求.

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