ILSI晶振,高性能石英晶體,IL3T進口晶振.32.768K系列具有超小型,薄型,質地輕的表面貼片音叉型石英晶體諧振器,晶振產品本身具備優良的耐熱性,耐環境特性,在辦公自動化,家電領域,移動通信領域可發揮優良的電氣特性,符合無鉛標準,滿足無鉛焊接的回流溫度曲線要求,金屬外殼的石英晶振使得產品在封裝時能發揮比陶瓷晶振外殼更好的耐沖擊性能.
IILSI進口晶振總部位于內華達州里諾,在加利福尼亞州南部設有辦事處,該公司被認為是靈活而響應迅速的提供交鑰匙供應鏈管理解決方案,編程的組織服務和工程支持.
晶振的真空封裝技術:是指石英晶振在真空封裝區域內進行封裝.1.防止外界氣體進入組件體內受到污染和增加應力的產生;2.使耐高溫晶振組件在真空下電阻減小;3.氣密性高.此技術為研發及生產超小型、超薄型石英晶振必須攻克的關鍵技術之一
|
ILSI晶振 |
單位 |
IL3T晶振 |
石英晶振基本條件 |
|
標準頻率 |
f_nom |
32.768KHZ |
標準頻率 |
|
儲存溫度 |
T_stg |
-55°C~+125°C |
裸存 |
|
工作溫度 |
T_use |
-40℃~+85℃ |
標準溫度 |
|
激勵功率 |
DL |
1.0μW Max. |
推薦:10μW |
|
頻率公差 |
f_— l |
±20ppm |
+25°C對于超出標準的規格說明,
請聯系我們以便獲取相關的信息,http://www.mtrpxt.cn/
|
|
頻率溫度特征 |
f_tem |
30 × 10-6，±50 × 10-6 |
超出標準的規格請聯系我們. |
|
負載電容 |
CL |
12.5pF |
不同負載要求,請聯系我們. |
|
串聯電阻(ESR) |
R1 |
如下表所示 |
-40°C — +85°C,DL = 100μW |
|
頻率老化 |
f_age |
±3× 10-6/year Max. |
+25°C,第一年 |
負載電容
振蕩電路中負載電容的不同,可能導致振蕩頻率與設計頻率之間產生偏差.試圖通過強力調整,可能只會導致不正常的振蕩.在使用之前,請指明該振動電路的負載電容(請參閱“負載電容”章節內容).
晶體振蕩器和實時時鐘模塊
所有石英晶體振蕩器和實時時鐘模塊都以IC形式提供.
通電
不建議從中間電位和/或極快速通電,否則會導致有源晶體無法產生振蕩和/或非正常工作.低功耗晶振的軟焊溫度條件被設計成可以和普通電子零部件同時作業,但如果是超過規格以上的高溫,則頻率有可能發生較大的變化,因此請避免不必要的高溫度.高精度石英晶振產品的回流焊焊接溫度描述,請參照“表面貼裝型晶體產品的回流焊焊接溫度描述”.
撞擊
雖然石英晶體諧振器產品在設計階段已經考慮到其耐撞擊性,但如果掉到地板上或者受到過度的撞擊,以防萬一還是要檢查特性后再使用.
保管
保管在高溫多濕的場所可能會導致端子軟焊性的老化.請在沒有直射陽光,不發生結露的場所保管.
裝載
SMD晶體產品支持自動貼裝,但還是請預先基于所使用的搭載機實施搭載測試,確認其對特性沒有影響.在切斷工序等會導致基板發生翹曲的工序中,請注意避免翹曲影響到32.768K晶振產品的特性以及軟焊.基于超聲波焊接的貼裝以及加工會使得貼片石英晶體產品(諧振器、振蕩器、濾波器)內部傳播過大的振動,有可能導致特性老化以及引起不振蕩,因此不推薦使用.
QANTEK晶振,石英晶體諧振器,QTC2晶體
SUNTSU晶振,高精度石英晶振,SWS212晶體
Transko晶振,高精度石英晶振,CS2012晶體
瑞康晶振,貼片無源晶振,RTF2012晶體
微晶晶振,進口貼片晶振,CM8V-T1A石英晶體
Golledge晶振,高質量石英晶振,CM8V石英晶體諧振器
Abracon晶振,進口貼片晶振,ABS06L晶體
CTS晶振,進口歐美晶振,TF20手機晶振
ECScrystal晶振,進口貼片晶振,ECX-12壓電晶體
精工晶振,石英晶體諧振器,SC-20T晶振