百利通亞陶晶振,低功耗晶振,NX50SA有源振蕩器.5032mm體積的石英晶體振蕩器有源晶振,改產品可驅動2.5V的溫補晶振,壓控晶振,VC-TCXO晶體振蕩器產品,電源電壓的低電耗型,編帶包裝方式,可對應自動高速貼片機自動焊接,及IR回流焊接(無鉛對應),為無鉛產品,超小型,質地輕.產品被廣泛應用到集成電路,程控交換系統(tǒng),無線發(fā)射基站.
有源晶振高頻振蕩器使用IC與晶片設計匹配技術:有源OSC晶振是高頻振蕩器研發(fā)及生產過程必須要解決的技術難題.在設計過程中除了要考慮石英晶體諧振器具有的電性外,還有石英晶體振蕩器的電極設計等其它的特殊性,必須考慮石英晶體振蕩器的供應電壓、起動電壓和產品上升時間、下降時間等相關參數.
Diodes 公司總部及美洲銷售辦公室位于美國德州普拉諾 (Plano) 與加州米爾皮塔斯 (Milpitas).設計、營銷與工程中心位于普拉諾、米爾皮塔斯、臺灣臺北；臺灣桃園市、臺灣竹北市、英國曼徹斯特及德國紐豪斯 (Neuhaus).Diodes臺灣貼片晶振的晶圓生產設施位于密蘇里州堪薩斯市及曼徹斯特,另外在中國上海亦設有一座生產設施.Diodes 在中國上海、濟南、成都、揚州,以及香港、紐豪斯及臺北設有組裝與測試設施.另外在多個據點設有工程、銷售、倉儲及物流辦公室,包括臺北、香港、曼徹斯特、中國上海、深圳、南韓城南市以及德國慕尼黑,并于世界各地設有支持辦公室.
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百利通亞陶晶振 |
NX50SA晶振 |
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輸出類型 |
CMOS |
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輸出負載 |
15pF |
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振蕩模式 |
基本/第三泛音 |
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電源電壓 |
+2.5V，+3.3V |
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頻率范圍 |
5.000MHz~250.000MHz |
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頻率穩(wěn)定度 |
±20ppm，±50ppm |
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工作溫度 |
-40℃~+85℃ |
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保存溫度 |
-55℃~+125℃ |
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電壓卷（最大值）/ VOH（最小值） |
0.1 VDD / 0.9 VDD |
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啟動時間 |
5 ms Max |
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相位抖動（12兆赫~20兆赫） |
1個PS最大 |
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老化率 |
±3 ppm /年最大 |
存儲事項
(1)在更高或更低溫度或高濕度環(huán)境下長時間保存進口貼片5032晶振產品時,會影響頻率穩(wěn)定性或焊接性.請在正常溫度和濕度環(huán)境下保存這些晶體產品,并在開封后盡可能進行安裝,以免長期儲藏.
正常溫度和濕度:溫度:+15°C至+35°C,濕度25%RH至85%RH(請參閱“測試點JISC60068-1/IEC60068-1的標準條件”章節(jié)內容).
(2)請仔細處理內外盒與卷帶.外部壓力會導致卷帶受到損壞.
自動安裝時的沖擊
自動安裝和真空化引發(fā)的沖擊會破壞產品特性并影響這些進口晶體振蕩器.請設置安裝條件以盡可能將沖擊降至低,并確保在安裝前未對產品特性產生影響.條件改變時,請重新檢查安裝條件.同時,在安裝前后,請確保石英晶振未撞擊機器或其他電路板等.
激勵功率
在晶體單元上施加過多驅動力,會導致低功耗晶振特性受到損害或破壞.電路設計必須能夠維持適當的激勵功率(請參閱“激勵功率”章節(jié)內容).
負極電阻
除非振蕩回路中分配足夠多的負極電阻,否則振蕩或振蕩啟動時間可能會增加(請參閱“關于振蕩”章節(jié)內容).
負載電容
振蕩電路中負載電容的不同,可能導致振蕩頻率與設計頻率之間產生偏差.試圖通過強力調整,可能只會導致不正常的振蕩.在使用之前,請指明該振動電路的負載電容(請參閱“負載電容”章節(jié)內容).
機械處理
當有源晶振發(fā)生外置撞擊時,任何石英有源晶體振蕩器在遭到外部撞擊時,或者產品不小心跌落時,強烈的外置撞擊都將會導致智能家居晶振損壞,或者頻率不穩(wěn)定現象.不執(zhí)行任何強烈的沖擊石英晶體振蕩器.如果一個強大的沖擊已經給振蕩器確保在使用前檢查其特點.
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