86-0755-27838351
康華爾電子成立至今已有20多年,是國(guó)內(nèi)數(shù)一數(shù)二的晶振廠家0755-27838351,專業(yè)研發(fā)生產(chǎn)銷售石英晶振,32.768K晶振,石英晶體諧振器,貼片晶振,SAW濾波器等.采用無(wú)鉛環(huán)保材料生產(chǎn),具有精度穩(wěn)定,小體積,重量輕等特點(diǎn).國(guó)產(chǎn)晶振就選康華爾電子,質(zhì)量好,精度高,價(jià)格優(yōu)勢(shì).
康華爾電子多年來(lái)在競(jìng)爭(zhēng)激烈的市場(chǎng)中,以技術(shù)占領(lǐng)市場(chǎng),以質(zhì)量贏得客戶,是國(guó)內(nèi)口碑極高的晶振供應(yīng)商.并且憑借自身的努力代理臺(tái)灣進(jìn)口晶振多個(gè)品牌,TXC晶振,鴻星晶振,加高晶振,亞陶晶振等.康華爾電子所提供的臺(tái)產(chǎn)晶振,均符合德國(guó)ROHS環(huán)保指令,具有高質(zhì)量,高可靠使用特性,咨詢選購(gòu)熱線0755-27838351.
日本進(jìn)口晶振在國(guó)內(nèi)口碑一流,高端智能產(chǎn)品使用晶振大都會(huì)選擇日產(chǎn)晶振作為首選.康華爾電子憑借自身的努力同時(shí)代理KDS晶振,愛普生晶振,精工晶體,京瓷晶振等品牌.所代理石英晶振,石英晶體振蕩器,貼片晶體均符合歐盟ROHS環(huán)保要求,具有高精度,高品質(zhì),低插損,耐高溫等特點(diǎn).
康華爾電子是國(guó)內(nèi)優(yōu)秀的歐美進(jìn)口晶振供貨商0755-27838351,多年來(lái)憑借自身的努力,獲得CTS晶振,FOX晶振,Sitime晶振,瑞康晶振等代理權(quán)限.所代理進(jìn)口晶振,歐美晶振均符合歐盟ROHS環(huán)保指令,并且獲得ISO國(guó)際質(zhì)量管理體系認(rèn)證.市場(chǎng)常用進(jìn)口晶振封裝型號(hào)康華爾電子均有備貨,可免費(fèi)提供現(xiàn)貨樣品以及晶振技術(shù)解決方案.
32.768K是晶振頻率中最容易讓人記住的數(shù)字,32.768K晶振素來(lái)有時(shí)鐘晶振的稱謂,只要跟數(shù)字顯示以及時(shí)間相關(guān)的產(chǎn)品都少不了一款32.768K晶振.根據(jù)不同的產(chǎn)品需求主要分為圓柱晶振和32.768K貼片晶振.常見封裝有2x6,3x8,7.0x1.5,3.2x1.5,2.0x1.2等體積.康華爾電子提供各種32.768K晶振,音叉表晶,價(jià)格優(yōu)質(zhì),咨詢熱線0755-27838351.
有源晶振是一款自身帶有電源電壓功能的石英晶體振蕩器,并且有多種電壓供選擇,比如有1.8V,2.5V,3.3V,3.8V,5V等高速自動(dòng)安裝和高溫回流焊設(shè)計(jì),Optionable待機(jī)輸出三態(tài)輸出功能,電源電壓范圍：1.8V~5 V,高穩(wěn)定性,低抖動(dòng),低功耗,主要應(yīng)用領(lǐng)域:無(wú)線通訊,高端智能手機(jī),平板筆記本W(wǎng)LAN,藍(lán)牙,數(shù)碼相機(jī),DSL和其他IT產(chǎn)品的晶振應(yīng)用,三態(tài)功能,PC和LCDM等高端數(shù)碼領(lǐng)域,符合RoHS/無(wú)鉛.
康華爾電子擁有先進(jìn)的設(shè)備,一流的生產(chǎn)技術(shù),致力于為用戶提供小型,薄型,高精密石英晶振,貼片晶體,石英晶體振蕩器.多年來(lái)康華爾電子通過(guò)自身努力,獲得多個(gè)進(jìn)口貼片晶振品牌代理權(quán)限,比如,KDS晶振,NDK晶振,京瓷晶振,TXC晶振,鴻星晶振,CTS晶振,IDT晶振等.康華爾進(jìn)口晶振代理商,所提供產(chǎn)品均符合國(guó)際ROHS環(huán)保指令,并且獲得ISO9001國(guó)際認(rèn)證,產(chǎn)品價(jià)格優(yōu)勢(shì),交期快,咨詢熱線0755-27838351.
適合用于時(shí)鐘應(yīng)用的OSC有源振蕩器X1G005591026500，石英晶體振蕩器，有源貼片晶振中使用的石英晶體是一塊非常小的、薄的石英切割片或晶片，其兩個(gè)平行表面被金屬化以進(jìn)行所需的電連接。一塊石英晶體的物理尺寸和厚度受到嚴(yán)格控制，因?yàn)樗鼤?huì)影響振蕩的最終頻率或基本頻率。基頻一般稱為晶體的“特征頻率”。一旦切割和成型，晶體就不能在任何其他頻率下使用。換句話說(shuō)，石英晶體的大小和形狀決定了石英晶體振蕩器的基本振蕩頻率。
適合用于時(shí)鐘應(yīng)用的OSC有源振蕩器X1G005591026500，石英晶振蕩器體是一種各向異性晶體。 它由以特定方位角切割的薄片制成，然后在晶片的相應(yīng)表面上涂有銀。 安裝一對(duì)金屬塊作為極板，構(gòu)成石英有源晶體振蕩器 。 石英晶體可用作振蕩電路的原因在于其壓電效應(yīng)。 當(dāng)在晶片外部的兩個(gè)板之間添加電場(chǎng)時(shí)，晶體將產(chǎn)生機(jī)械變形; 相反，當(dāng)在板之間施加機(jī)械力時(shí)，將在晶體中產(chǎn)生電場(chǎng)。 這種現(xiàn)象稱為壓電效應(yīng)。
 Product Number
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 愛普生晶振型號(hào) |
 Frequency
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 LxWxH
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 Output Wave
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 Supply Voltage
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 Ope Temperature
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 Freq. Tol.
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 I [Max]
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| X1G005591025400 | SG-8018CE | 2.444400 MHz | 3.20 x 2.50 x 1.20 mm | CMOS | 1.620 to 3.630 V | -40 to 105 °C | +/-50 ppm | ≤ 3.5 mA |
| X1G005591025500 | SG-8018CE | 13.977600 MHz | 3.20 x 2.50 x 1.20 mm | CMOS | 1.620 to 3.630 V | -40 to 105 °C | +/-50 ppm | ≤ 3.5 mA |
| X1G005591025600 | SG-8018CE | 75.000000 MHz | 3.20 x 2.50 x 1.20 mm | CMOS | 1.620 to 3.630 V | -40 to 105 °C | +/-50 ppm | ≤ 5.2 mA |
| X1G005591025700 | SG-8018CE | 13.516800 MHz | 3.20 x 2.50 x 1.20 mm | CMOS | 1.620 to 3.630 V | -40 to 105 °C | +/-50 ppm | ≤ 3.5 mA |
| X1G005591025800 | SG-8018CE | 64.000000 MHz | 3.20 x 2.50 x 1.20 mm | CMOS | 1.620 to 3.630 V | -40 to 105 °C | +/-50 ppm | ≤ 5.2 mA |
| X1G005591025900 | SG-8018CE | 9.830400 MHz | 3.20 x 2.50 x 1.20 mm | CMOS | 1.620 to 3.630 V | -40 to 105 °C | +/-50 ppm | ≤ 3.5 mA |
| X1G005591026000 | SG-8018CE | 29.491200 MHz | 3.20 x 2.50 x 1.20 mm | CMOS | 1.620 to 3.630 V | -40 to 105 °C | +/-50 ppm | ≤ 4.4 mA |
| X1G005591026100 | SG-8018CE | 37.500000 MHz | 3.20 x 2.50 x 1.20 mm | CMOS | 1.620 to 3.630 V | -40 to 105 °C | +/-50 ppm | ≤ 4.4 mA |
| X1G005591026200 | SG-8018CE | 16.384000 MHz | 3.20 x 2.50 x 1.20 mm | CMOS | 1.620 to 3.630 V | -40 to 105 °C | +/-50 ppm | ≤ 3.5 mA |
| X1G005591026300 | SG-8018CE | 135.000000 MHz | 3.20 x 2.50 x 1.20 mm | CMOS | 1.620 to 3.630 V | -40 to 105 °C | +/-50 ppm | ≤ 8.1 mA |
| X1G005591026400 | SG-8018CE | 64.000000 MHz | 3.20 x 2.50 x 1.20 mm | CMOS | 1.620 to 3.630 V | -40 to 105 °C | +/-50 ppm | ≤ 5.2 mA |
| X1G005591026500 | SG-8018CE | 20.000000 MHz | 3.20 x 2.50 x 1.20 mm | CMOS | 1.620 to 3.630 V | -40 to 105 °C | +/-50 ppm | ≤ 3.5 mA |
| X1G005591026600 | SG-8018CE | 12.288000 MHz | 3.20 x 2.50 x 1.20 mm | CMOS | 1.620 to 3.630 V | -40 to 105 °C | +/-50 ppm | ≤ 3.5 mA |
| X1G005591026700 | SG-8018CE | 60.956200 MHz | 3.20 x 2.50 x 1.20 mm | CMOS | 1.620 to 3.630 V | -40 to 105 °C | +/-50 ppm | ≤ 5.2 mA |
| X1G005591026800 | SG-8018CE | 52.441700 MHz | 3.20 x 2.50 x 1.20 mm | CMOS | 1.620 to 3.630 V | -40 to 105 °C | +/-50 ppm | ≤ 5.2 mA |
| X1G005591026900 | SG-8018CE | 65.794020 MHz | 3.20 x 2.50 x 1.20 mm | CMOS | 1.620 to 3.630 V | -40 to 105 °C | +/-50 ppm | ≤ 5.2 mA |
| X1G005591027000 | SG-8018CE | 14.745600 MHz | 3.20 x 2.50 x 1.20 mm | CMOS | 1.620 to 3.630 V | -40 to 105 °C | +/-50 ppm | ≤ 3.5 mA |
| X1G005591027100 | SG-8018CE | 16.500000 MHz | 3.20 x 2.50 x 1.20 mm | CMOS | 1.620 to 3.630 V | -40 to 105 °C | +/-50 ppm | ≤ 3.5 mA |
| X1G005591027200 | SG-8018CE | 7.372800 MHz | 3.20 x 2.50 x 1.20 mm | CMOS | 1.620 to 3.630 V | -40 to 105 °C | +/-50 ppm | ≤ 3.5 mA |
| X1G005591027300 | SG-8018CE | 35.000000 MHz | 3.20 x 2.50 x 1.20 mm | CMOS | 1.620 to 3.630 V | -40 to 105 °C | +/-50 ppm | ≤ 4.4 mA |
| X1G005591027400 | SG-8018CE | 64.800000 MHz | 3.20 x 2.50 x 1.20 mm | CMOS | 1.620 to 3.630 V | -40 to 105 °C | +/-50 ppm | ≤ 5.2 mA |
| X1G005591027500 | SG-8018CE | 33.300000 MHz | 3.20 x 2.50 x 1.20 mm | CMOS | 1.620 to 3.630 V | -40 to 105 °C | +/-50 ppm | ≤ 4.4 mA |
| X1G005591027600 | SG-8018CE | 66.667000 MHz | 3.20 x 2.50 x 1.20 mm | CMOS | 1.620 to 3.630 V | -40 to 105 °C | +/-50 ppm | ≤ 5.2 mA |
| X1G005591027700 | SG-8018CE | 15.625000 MHz | 3.20 x 2.50 x 1.20 mm | CMOS | 1.620 to 3.630 V | -40 to 105 °C | +/-50 ppm | ≤ 3.5 mA |
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