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EPSON晶振,貼片晶振,SG-310晶振,貼片晶振本身體積小,超薄型石英晶體諧振器,特別適用于有目前高速發展的高端電子數碼產品,因為晶振本身小型化需求的市場領域,小型?薄型是對應陶瓷諧振器（偏差大）和普通的石英晶體諧振器（偏差小）的中間領域的一種性價比較出色的產品.產品廣泛用于筆記本電腦,無線電話,衛星導航HDD, SSD, USB, Blu-ray等用途,符合無鉛焊接的高溫回流焊曲線特性.

石英晶振多層、多金屬的濺射鍍膜技術：是目前研發及生產高精度、高穩定性石英晶體元器件——石英晶振必須攻克的關鍵技術之一。石英晶振該選用何鍍材、鍍幾種材料、幾種鍍材的鍍膜順序，鍍膜的工藝方法（如各鍍材的功率設計等）。使用此鍍膜方法使鍍膜后的晶振附著力增強，貼片晶振頻率更加集中，能控制在最小ppm之內。

項目	符號	規格說明	條件
輸出頻率范圍	f₀	2-80MHZ	請聯系我們以便獲取其它可用頻率的相關信息
電源電壓	V_CC	1.60 V to 3.63 V	請聯系我們以了解更多相關信息
儲存溫度	T_stg	-55℃to +125℃	裸存
工作溫度	T_use	G: -40℃to +85℃	請聯系我們查看更多資料http://www.mtrpxt.cn
		H: -40℃to +105℃
		J: -40℃to +125℃
頻率穩定度	f_tol	J: ±50 × 10^-6
		L: ±100 × 10^-6
		T: ±150 × 10^-6
功耗	I_CC	3.5 mA Max.	無負載條件、最大工作頻率
待機電流	I_std	3.3μA Max.	ST=GND
占空比	SYM	45 % to 55 %	50 % VCC 極, L_CMOS≦15 pF
輸出電壓	V_OH	V_CC-0.4V Min.
輸出電壓	V_OL	0.4 V Max.
輸出負載條件	L_CMOS	15 pF Max.
輸入電壓	V_IH	80% V_CCMax.	ST終端
輸入電壓	V_IL	20 % V_CCMax.	ST終端
上升/下降時間	tr / tf	4 ns Max.	20 % V_CCto 80 % V_CC極, L_CMOS=15 pF
振蕩啟動時間	t_str	3 ms Max.	t=0 at 90 %
頻率老化	f_aging	±3 × 10^-6/ year Max.	+25 ℃, 初年度,第一年

SG-310SEF DF CF DN CN 3225 COMS

將電源連接到有源晶振指定的終端，確定正確的極性這目錄所示。注意電源的正負電極逆轉或者連接到一個終端以,以為外的指定一個產品部分內的石英晶振，假如損壞那將不會工作。此外如果外接電源電壓高于晶振的規定電壓值，就很可能會導致石英晶振產品損壞。所以外接電壓很重要，一定要確保使用正確的額定電壓的振蕩，但如果電壓低于額定的電壓值部分產品將會不起振，或者起不到最佳精度。

有源晶振的負載電容與阻抗

負載電容與阻抗有源晶振設置一個規定京瓷晶振的負載阻抗值。當一個值除了規定的一個設置為負載阻抗輸出頻率和輸出電平不會滿足時，指定的值這可能會導致問題例如：失真的輸出波形。特別是設置電抗，根據規范的負載阻抗。輸出頻率和輸出電平，當測量輸出頻率或輸出水平，晶體振蕩器調整的輸入阻抗，測量儀器的負載阻抗晶體振蕩器。當輸入阻抗愛普生晶振的測量儀器，不同的負載阻抗的晶體振蕩器，測量輸出頻率或輸出水平高，阻抗阻抗測量可以忽略。

機械處理

當有源晶振發生外置撞擊時，任何石英晶體振蕩器在遭到外部撞擊時，或者產品不小心跌落時，強烈的外置撞擊都將會導致晶振損壞，或者頻率不穩定現象。不執行任何強烈的沖擊石英晶體振蕩器。

如果一個強大的沖擊已經給振蕩器確保

在使用前檢查其特點。

愛普生晶振,貼片晶振,SG-310晶振