86-0755-27838351
頻率:1.750MHz~60.000MHz
尺寸:2.0*1.6*0.75mm
百利通亞陶晶振,SPXO晶體振蕩器,HX201晶振.有源晶振,是只晶體本身起振需要外部電壓供應,起振后可直接驅動CMOS集成電路,產品本身已實現與薄型IC(TSSOP封裝,TVSOP封裝)同樣的1mm厚度,斷開時的消費電流是15µA以下,編帶包裝方式可對應自動搭載及IR回流焊接(無鉛對應)產品有幾種電壓供選1.8V,2.5V,3V3.3V,5V,以應對不同IC產品需要.
該公司生產設施已達到 QS-9000、ISO-9001:2008、TS16949:2002 及 ISO 14001 認證的品質獎.Diodes 公司目前擁有 C-TPAT 認證.上述質量獎反映 Diodes 公司優異的品管技術,并進一步提升我們在重視質量與一致性的 OEM 業者心目中最佳晶振廠家的地位.產品聚焦于高成長終端用戶設備市場,例如電視/衛星機頂盒、可攜式 DVD 播放器、數據通訊設備、ADSL 調制解調器、電源供應器、醫療裝置 (非維生裝置/系統)、個人計算機與筆記本電腦、平面顯示器、數字相機、手機、AC-DC 與 DC-DC 轉換器、無線 802.11 LAN 存取點、無刷直流馬達風扇、序列連接及汽車應用.
石英晶振高精度晶片的拋光技術:貼片SMD晶振是目前晶片研磨技術中表面處理技術的最高技術,最終使晶振晶片表面更光潔,平行度及平面度更好,降低諧振電阻,提高Q值.從而達到一般研磨所達不到的產品性能,使石英晶振的等效電阻等更接近理論值,使晶振可在更低功耗下工作.使用先進的牛頓環及單色光的方法去檢測晶片表面的狀態.
百利通亞陶晶振 |
HX201晶振 |
輸出類型 |
CMOS |
輸出負載 |
15pF |
振蕩模式 |
基本/第三泛音 |
電源電壓 |
+1.8V,+2.5V,+3.3V |
頻率范圍 |
1.750MHz~60.000MHz |
頻率穩定度 |
±50ppm |
工作溫度 |
-40℃~+125℃ |
保存溫度 |
-55℃~+125℃ |
電壓卷(最大值)/ VOH(最小值) |
0.1 VDD / 0.9 VDD |
啟動時間 |
5 ms Max |
相位抖動(12兆赫~20兆赫) |
1個PS最大 |
老化率 |
±3 ppm /年最大 |
電處理:
將電源連接到有源晶振指定的終端,確定正確的極性這目錄所示.注意電源的正負電極逆轉或者連接到一個終端以,以為外的指定一個產品部分內的石英晶振,假如損壞那將不會工作.此外如果外接電源電壓高于晶振的規定電壓值,就很可能會導致石英晶振產品損壞.所以外接電壓很重要,一定要確保使用正確的額定電壓的振蕩,但如果電壓低于額定的電壓值部分產品將會不起振,或者起不到最佳精度.
機械處理
當有源晶振發生外置撞擊時,任何石英晶體振蕩器在遭到外部撞擊時,或者產品不小心跌落時,強烈的外置撞擊都將會導致晶振損壞,或者頻率不穩定現象.不執行任何強烈的沖擊石英晶體振蕩器.如果一個強大的沖擊已經給振蕩器確保在使用前檢查其特點.
使用環境(溫度和濕度)
請在規定的溫度范圍內使用臺灣貼片晶振.這個溫度涉及本體的和季節變化的溫度.在高濕環境下,會由于凝露引起故障.請避免凝露的產生.
晶振/石英晶體諧振器
激勵功率
在晶振上施加過多驅動力,會導致產品特性受到損害或破壞.電路設計必須能夠維持適當的激勵功率 (請參閱“激勵功率”章節內容).
負極電阻
除非石英晶體振蕩器回路中分配足夠多的負極電阻,否則振蕩或振蕩啟動時間可能會增加(請參閱“關于振蕩”章節內容).
負載電容
有源晶振振蕩電路中負載電容的不同,可能導致振蕩頻率與設計頻率之間產生偏差.試圖通過強力調整,可能只會導致不正常的振蕩.在使用之前,請指明該振動電路的負載電容(請參閱“負載電容”章節內容).
有源晶振的負載電容與阻抗
負載電容與阻抗有源2016晶振設置一個規定的負載阻抗值.當一個值除了規定的一個設置為負載阻抗輸出頻率和輸出電平不會滿足時,指定的值這可能會導致問題例如:失真的輸出波形.特別是設置電抗,根據規范的負載阻抗.輸出頻率和輸出電平,當測量輸出頻率或輸出水平,晶體振蕩器調整的輸入阻抗,測量儀器的負載阻抗晶體振蕩器.當輸入阻抗的測量儀器,不同的負載阻抗的晶體振蕩器,測量輸出頻率或輸出水平高,阻抗阻抗測量可以忽略.
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