86-0755-27838351
頻率:10.000MHz~52.000MHz
尺寸:3.2*2.5*1.0mm
百利通亞陶晶振,溫度補償晶振,JT325振蕩器.有源晶振高頻振蕩器使用IC與晶片設計匹配技術:有源晶振是高頻振蕩器研發及生產過程必須要解決的技術難題.在設計過程中除了要考慮石英晶體諧振器具有的電性外,還有石英晶體振蕩器的電極設計等其它的特殊性,必須考慮石英晶體振蕩器的供應電壓、起動電壓和產品上升時間、下降時間等相關參數.
石英晶振高精度晶片的拋光技術:貼片晶振是目前晶片研磨技術中表面處理技術的最高技術,最終使晶振晶片表面更光潔,平行度及平面度更好,降低諧振電阻,提高Q值.從而達到一般研磨所達不到的產品性能,使石英晶振的等效電阻等更接近理論值,使晶振可在更低功耗下工作.使用先進的牛頓環及單色光的方法去檢測晶片表面的狀態.
Diodes 公司為領先業界的高質量應用特定標準產品全球制造商與供貨商,產品涵蓋廣泛領域,包括獨立、邏輯、模擬及混合訊號半導體市場.Diodes 耐高溫晶振服務的市場包括消費性電子、計算機、通訊、工業及汽車市場.Diodes 的產品包括二極管、整流器、晶體管、MOSFET、保護裝置、特定功能數組、單閘極邏輯、放大器與比較器、霍爾效應與溫度傳感器、電源管理裝置 (包括 LED 驅動器)、AC-DC 轉換器與控制器、DC-DC 開關與線性穩壓器,以及電壓參考與特殊功能裝置 (例如 USB 電源開關、負載開關、電壓監控器及馬達控制器).
百利通亞陶晶振 |
JT325晶振 |
輸出類型 |
Clipped Sine wave |
輸出負載 |
10pF |
振蕩模式 |
基本/第三泛音 |
電源電壓 |
+1.8V~+3.3V |
頻率范圍 |
10.000MHz~52.000MHz |
頻率穩定度 |
±2.0ppm |
工作溫度 |
-30℃~+85℃ |
保存溫度 |
-40℃~+85℃ |
電壓卷(最大值)/ VOH(最小值) |
0.1 VDD / 0.9 VDD |
啟動時間 |
5 ms Max |
相位抖動(12兆赫~20兆赫) |
1個PS最大 |
老化率 |
±3 ppm /年最大 |
機械處理
當有源高精度石英晶振發生外置撞擊時,任何石英晶體振蕩器在遭到外部撞擊時,或者產品不小心跌落時,強烈的外置撞擊都將會導致晶振損壞,或者頻率不穩定現象.不執行任何強烈的沖擊石英晶體振蕩器.如果一個強大的沖擊已經給振蕩器確保在使用前檢查其特點.
激勵功率
在晶振上施加過多驅動力,會導致產品特性受到損害或破壞.電路設計必須能夠維持適當的激勵功率 (請參閱“激勵功率”章節內容).
負極電阻
除非石英晶體振蕩器回路中分配足夠多的負極電阻,否則振蕩或振蕩啟動時間可能會增加(請參閱“關于振蕩”章節內容).
負載電容
有源晶振振蕩電路中負載電容的不同,可能導致振蕩頻率與設計頻率之間產生偏差.試圖通過強力調整,可能只會導致不正常的振蕩.在使用之前,請指明該振動電路的負載電容(請參閱“負載電容”章節內容).
有源晶振的負載電容與阻抗
負載電容與阻抗有源晶振設置一個規定的負載阻抗值.當一個值除了規定的一個設置為負載阻抗輸出頻率和輸出電平不會滿足時,指定的值這可能會導致問題例如:失真的輸出波形.特別是設置電抗,根據規范的負載阻抗.輸出頻率和輸出電平,當測量輸出頻率或輸出水平,晶體振蕩器調整的輸入阻抗,測量儀器的負載阻抗晶體振蕩器.當輸入阻抗的測量儀器,不同的負載阻抗的晶體振蕩器,測量輸出頻率或輸出水平高,阻抗阻抗測量可以忽略.
電處理:
將電源連接到耐高溫晶振指定的終端,確定正確的極性這目錄所示.注意電源的正負電極逆轉或者連接到一個終端以,以為外的指定一個產品部分內的石英3225晶振,假如損壞那將不會工作.此外如果外接電源電壓高于晶振的規定電壓值,就很可能會導致石英晶振產品損壞.所以外接電壓很重要,一定要確保使用正確的額定電壓的振蕩,但如果電壓低于額定的電壓值部分產品將會不起振,或者起不到最佳精度.
電話:+86-0755-278383514
手機:138-2330-0879
QQ:632862232
地址:廣東深圳市寶安寶安大道東95號浙商銀行大廈1905