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康華爾電子成立至今已有20多年,是國內(nèi)數(shù)一數(shù)二的晶振廠家0755-27838351,專業(yè)研發(fā)生產(chǎn)銷售石英晶振,32.768K晶振,石英晶體諧振器,貼片晶振,SAW濾波器等.采用無鉛環(huán)保材料生產(chǎn),具有精度穩(wěn)定,小體積,重量輕等特點(diǎn).國產(chǎn)晶振就選康華爾電子,質(zhì)量好,精度高,價(jià)格優(yōu)勢(shì).
康華爾電子多年來在競(jìng)爭(zhēng)激烈的市場(chǎng)中,以技術(shù)占領(lǐng)市場(chǎng),以質(zhì)量贏得客戶,是國內(nèi)口碑極高的晶振供應(yīng)商.并且憑借自身的努力代理臺(tái)灣進(jìn)口晶振多個(gè)品牌,TXC晶振,鴻星晶振,加高晶振,亞陶晶振等.康華爾電子所提供的臺(tái)產(chǎn)晶振,均符合德國ROHS環(huán)保指令,具有高質(zhì)量,高可靠使用特性,咨詢選購熱線0755-27838351.
日本進(jìn)口晶振在國內(nèi)口碑一流,高端智能產(chǎn)品使用晶振大都會(huì)選擇日產(chǎn)晶振作為首選.康華爾電子憑借自身的努力同時(shí)代理KDS晶振,愛普生晶振,精工晶體,京瓷晶振等品牌.所代理石英晶振,石英晶體振蕩器,貼片晶體均符合歐盟ROHS環(huán)保要求,具有高精度,高品質(zhì),低插損,耐高溫等特點(diǎn).
康華爾電子是國內(nèi)優(yōu)秀的歐美進(jìn)口晶振供貨商0755-27838351,多年來憑借自身的努力,獲得CTS晶振,FOX晶振,Sitime晶振,瑞康晶振等代理權(quán)限.所代理進(jìn)口晶振,歐美晶振均符合歐盟ROHS環(huán)保指令,并且獲得ISO國際質(zhì)量管理體系認(rèn)證.市場(chǎng)常用進(jìn)口晶振封裝型號(hào)康華爾電子均有備貨,可免費(fèi)提供現(xiàn)貨樣品以及晶振技術(shù)解決方案.
32.768K是晶振頻率中最容易讓人記住的數(shù)字,32.768K晶振素來有時(shí)鐘晶振的稱謂,只要跟數(shù)字顯示以及時(shí)間相關(guān)的產(chǎn)品都少不了一款32.768K晶振.根據(jù)不同的產(chǎn)品需求主要分為圓柱晶振和32.768K貼片晶振.常見封裝有2x6,3x8,7.0x1.5,3.2x1.5,2.0x1.2等體積.康華爾電子提供各種32.768K晶振,音叉表晶,價(jià)格優(yōu)質(zhì),咨詢熱線0755-27838351.
有源晶振是一款自身帶有電源電壓功能的石英晶體振蕩器,并且有多種電壓供選擇,比如有1.8V,2.5V,3.3V,3.8V,5V等高速自動(dòng)安裝和高溫回流焊設(shè)計(jì),Optionable待機(jī)輸出三態(tài)輸出功能,電源電壓范圍：1.8V~5 V,高穩(wěn)定性,低抖動(dòng),低功耗,主要應(yīng)用領(lǐng)域:無線通訊,高端智能手機(jī),平板筆記本W(wǎng)LAN,藍(lán)牙,數(shù)碼相機(jī),DSL和其他IT產(chǎn)品的晶振應(yīng)用,三態(tài)功能,PC和LCDM等高端數(shù)碼領(lǐng)域,符合RoHS/無鉛.
康華爾電子擁有先進(jìn)的設(shè)備,一流的生產(chǎn)技術(shù),致力于為用戶提供小型,薄型,高精密石英晶振,貼片晶體,石英晶體振蕩器.多年來康華爾電子通過自身努力,獲得多個(gè)進(jìn)口貼片晶振品牌代理權(quán)限,比如,KDS晶振,NDK晶振,京瓷晶振,TXC晶振,鴻星晶振,CTS晶振,IDT晶振等.康華爾進(jìn)口晶振代理商,所提供產(chǎn)品均符合國際ROHS環(huán)保指令,并且獲得ISO9001國際認(rèn)證,產(chǎn)品價(jià)格優(yōu)勢(shì),交期快,咨詢熱線0755-27838351.
頻率：5.000MHz~250.000MHz
尺寸：3.2*2.5*0.9mm
百利通亞陶晶振,臺(tái)灣貼片晶振,NX31SB振蕩器.貼片式石英晶體振蕩器,低電壓?jiǎn)?dòng)功率,并且有多種電壓供選擇,比如有1.8V,2.5V,3.3V,3.8V,5V等,產(chǎn)品被廣泛應(yīng)用于,平板筆記本,GPS系統(tǒng),光纖通道,千兆以太網(wǎng),串行ATA,串行連接SCSI,PCI-Express的SDH/SONET發(fā)射基站等領(lǐng)域.符合RoHS/無鉛.
Double Data Rate (DDR) 同步動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取內(nèi)存是用于計(jì)算機(jī)的內(nèi)存等級(jí). Diodes 可為高可用性通訊與網(wǎng)絡(luò)設(shè)備（包括服務(wù)器、RAID 儲(chǔ)存裝置、工作站與刪除重復(fù)數(shù)據(jù)設(shè)備）以及醫(yī)療裝置與其他嵌入式系統(tǒng)的 DDR3、DDR2 和 DDR1 SRAM 提供頻率及切換組件.該公司生產(chǎn)設(shè)施已達(dá)到 QS-9000、ISO-9001:2008、TS16949:2002 及 ISO 14001 認(rèn)證的品質(zhì)獎(jiǎng).Diodes 公司目前擁有 C-TPAT 認(rèn)證.上述質(zhì)量獎(jiǎng)反映 Diodes 公司優(yōu)異的品管技術(shù),并進(jìn)一步提升我們?cè)谥匾曎|(zhì)量與一致性的 OEM 業(yè)者心目中最佳晶振廠家的地位.產(chǎn)品聚焦于高成長(zhǎng)終端用戶設(shè)備市場(chǎng),例如電視/衛(wèi)星機(jī)頂盒、可攜式 DVD 播放器、數(shù)據(jù)通訊設(shè)備、ADSL 調(diào)制解調(diào)器、電源供應(yīng)器、醫(yī)療裝置 (非維生裝置/系統(tǒng))、個(gè)人計(jì)算機(jī)與筆記本電腦、平面顯示器、數(shù)字相機(jī)、手機(jī)、AC-DC 與 DC-DC 轉(zhuǎn)換器、無線 802.11 LAN 存取點(diǎn)、無刷直流馬達(dá)風(fēng)扇、序列連接及汽車應(yīng)用.
石英晶振真空退火技術(shù):晶振高真空退火處理是消除有源晶振在加工過程中產(chǎn)生的應(yīng)力及輕微表面缺陷.在PLC控制程序中輸入已設(shè)計(jì)好的溫度曲線,使真空室溫度跟隨設(shè)定曲線對(duì)晶體組件進(jìn)行退火,石英晶振通過合理的真空退火技術(shù)可提高晶振主要參數(shù)的穩(wěn)定性,以及提高石英晶振的年老化特性.
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百利通亞陶晶振 |
NX31SB晶振 |
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輸出類型 |
LVCMOS |
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輸出負(fù)載 |
15pF |
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振蕩模式 |
基本/第三泛音 |
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電源電壓 |
+2.5V，+3.3V |
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頻率范圍 |
5.000MHz~250.000MHz |
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頻率穩(wěn)定度 |
±20ppm，±50ppm |
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工作溫度 |
-40℃~+85℃ |
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保存溫度 |
-55℃~+125℃ |
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電壓卷（最大值）/ VOH（最小值） |
0.1 VDD / 0.9 VDD |
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啟動(dòng)時(shí)間 |
5 ms Max |
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相位抖動(dòng)（12兆赫~20兆赫） |
1個(gè)PS最大 |
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老化率 |
±3 ppm /年最大 |
機(jī)械處理
當(dāng)有源晶振發(fā)生外置撞擊時(shí),任何石英有源晶體振蕩器在遭到外部撞擊時(shí),或者產(chǎn)品不小心跌落時(shí),強(qiáng)烈的外置撞擊都將會(huì)導(dǎo)致晶振損壞,或者頻率不穩(wěn)定現(xiàn)象.不執(zhí)行任何強(qiáng)烈的沖擊石英晶體振蕩器.如果一個(gè)強(qiáng)大的沖擊已經(jīng)給振蕩器確保在使用前檢查其特點(diǎn).
存儲(chǔ)事項(xiàng)
(1)在更高或更低溫度或高濕度環(huán)境下長(zhǎng)時(shí)間保存進(jìn)口貼片3225晶振產(chǎn)品時(shí),會(huì)影響頻率穩(wěn)定性或焊接性.請(qǐng)?jiān)谡囟群蜐穸拳h(huán)境下保存這些晶體產(chǎn)品,并在開封后盡可能進(jìn)行安裝,以免長(zhǎng)期儲(chǔ)藏.
正常溫度和濕度:溫度:+15°C至+35°C,濕度25%RH至85%RH(請(qǐng)參閱“測(cè)試點(diǎn)JISC60068-1/IEC60068-1的標(biāo)準(zhǔn)條件”章節(jié)內(nèi)容).
(2)請(qǐng)仔細(xì)處理內(nèi)外盒與卷帶.外部壓力會(huì)導(dǎo)致卷帶受到損壞.
自動(dòng)安裝時(shí)的沖擊
自動(dòng)安裝和真空化引發(fā)的沖擊會(huì)破壞產(chǎn)品特性并影響這些進(jìn)口晶體振蕩器.請(qǐng)?jiān)O(shè)置安裝條件以盡可能將沖擊降至低,并確保在安裝前未對(duì)產(chǎn)品特性產(chǎn)生影響.條件改變時(shí),請(qǐng)重新檢查安裝條件.同時(shí),在安裝前后,請(qǐng)確保石英晶振未撞擊機(jī)器或其他電路板等.
激勵(lì)功率
在晶體單元上施加過多驅(qū)動(dòng)力,會(huì)導(dǎo)致低功耗晶振特性受到損害或破壞.電路設(shè)計(jì)必須能夠維持適當(dāng)?shù)募?lì)功率(請(qǐng)參閱“激勵(lì)功率”章節(jié)內(nèi)容).
負(fù)極電阻
除非振蕩回路中分配足夠多的負(fù)極電阻,否則振蕩或振蕩啟動(dòng)時(shí)間可能會(huì)增加(請(qǐng)參閱“關(guān)于振蕩”章節(jié)內(nèi)容).
負(fù)載電容
振蕩電路中負(fù)載電容的不同,可能導(dǎo)致振蕩頻率與設(shè)計(jì)頻率之間產(chǎn)生偏差.試圖通過強(qiáng)力調(diào)整,可能只會(huì)導(dǎo)致不正常的振蕩.在使用之前,請(qǐng)指明該振動(dòng)電路的負(fù)載電容(請(qǐng)參閱“負(fù)載電容”章節(jié)內(nèi)容).
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