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愛(ài)普生晶振,SG-8018CB晶振,低電源電壓晶振

頻率：0.67MHZ~170MHZ

尺寸：5.0x3.2mm

5032mm體積的石英晶體振蕩器有源晶振,改產(chǎn)品可驅(qū)動(dòng)2.5V的溫補(bǔ)晶振,壓控晶振,VC-TCXO晶體振蕩器產(chǎn)品,電源電壓的低電耗型,編帶包裝方式,可對(duì)應(yīng)自動(dòng)高速貼片機(jī)自動(dòng)焊接,及IR回流焊接(無(wú)鉛對(duì)應(yīng)),為無(wú)鉛產(chǎn)品,超小型,質(zhì)地輕.產(chǎn)品被廣泛應(yīng)用到集成電路,程控交換系統(tǒng),無(wú)線發(fā)射基站.

訂購(gòu)熱線：86-0755-27838351

愛(ài)普生晶振,SG-8018CB晶振,低電源電壓晶振

愛(ài)普生株式會(huì)社EPSON晶振,愛(ài)普生拓優(yōu)科夢(mèng),(EPSON—YOCOM)1942年成立時(shí)是精工集團(tuán)的第三家手表制造公司,以石英手表起家的愛(ài)普生公司到后續(xù)的生產(chǎn)壓電石英晶振,晶振,石英晶振,有源晶振,壓控振蕩器, 壓控晶體振蕩器（VCXO）、溫補(bǔ)晶體振蕩器（TCXO）。1996年2月在中國(guó)蘇州投資建廠,在當(dāng)時(shí)員工人數(shù)就達(dá)2000人,總投資4.055億美元,公司占地200畝,現(xiàn)已經(jīng)是世界500強(qiáng)企業(yè).

日本精工愛(ài)普生晶振接受了中國(guó)蘇州政府2007 年的招商引資,命名為【愛(ài)普生拓優(yōu)科夢(mèng)水晶元器件(蘇州)有限公司】愛(ài)普生拓優(yōu)科夢(mèng)(Epson Toyocom)是精工愛(ài)普生株式會(huì)社與愛(ài)普生晶振(中國(guó))有限公司共同投資成立的有限責(zé)任公司(外商合資).

愛(ài)普生晶振公司已經(jīng)建立了一個(gè)原始的垂直整合制造模型的最佳手段持續(xù)為客戶創(chuàng)造新的價(jià)值,并決定使用這個(gè)模型來(lái)驅(qū)動(dòng)前面提到的四個(gè)關(guān)鍵領(lǐng)域的創(chuàng)新.這意味著從頭開(kāi)始創(chuàng)建產(chǎn)品:創(chuàng)建我們自己的獨(dú)特的核心技術(shù)和設(shè)備,使用這些作為基地的規(guī)劃和設(shè)計(jì)提供獨(dú)特價(jià)值的產(chǎn)品,生產(chǎn)或制造的藝術(shù)和科學(xué),我們積累了多年的專業(yè)知識(shí),然后生產(chǎn)晶振,石英晶振,有源晶振,貼片晶振,壓控振蕩器, 32.768K鐘表晶振,溫補(bǔ)晶振,石英晶體振蕩器,壓控石英水晶振蕩子,等出售給我們的客戶.

愛(ài)普生晶振公司加強(qiáng)人力資源的全功能,技術(shù),生產(chǎn),銷售和支持和環(huán)境問(wèn)題,利用信息技術(shù),推進(jìn)我們的原始制造模式尋求實(shí)現(xiàn)我們的愿景.視野下就像我提到的,我們的目標(biāo)是使用我們的技術(shù)來(lái)創(chuàng)建一個(gè)新的連接人的時(shí)代,事物和信息,這樣我相信我們可以成為不可或缺的公司為我們的客戶和社會(huì).

愛(ài)普生晶振,SG-8018CB晶振,低電源電壓晶振

全套日本愛(ài)普生晶振生產(chǎn)設(shè)備,全自動(dòng)封膠點(diǎn)焊,網(wǎng)絡(luò)系統(tǒng)自動(dòng)分頻檢測(cè)設(shè)備,SMD全套現(xiàn)代化生產(chǎn)線.貼片晶振,全套材料采用日本進(jìn)口,日本電波NDK晶振原廠供應(yīng)晶片材料,采用KYOCER CRYSTAL京瓷晶振外殼基座.主要生產(chǎn):石英晶振,貼片晶振,有源晶振,石英晶體諧振器,石英晶體振蕩器,32.768K鐘表晶振,陶瓷霧化片,晶振,諧振器,等產(chǎn)品.并且代理日本進(jìn)口晶振,愛(ài)普生晶振,KDS晶振,精工晶振,京瓷晶振,NDK晶振,村田晶振等多家日本一線品牌.與我國(guó)臺(tái)灣,TXC晶振,鴻星晶振,希華晶振,加高晶振等品牌成為戰(zhàn)略合作伙伴.

在2018年與多個(gè)歐美晶振品牌簽訂代銷代理同盟合作關(guān)系:ECS晶振,Abracon晶振,CTS晶振,JAUCH晶振,的多個(gè)有源晶振進(jìn)口品牌合作關(guān)系,主要以車(chē)規(guī)晶振,工業(yè)級(jí)晶振,差分晶振,差分晶體振蕩器,進(jìn)口差分晶振,軍工晶體為主打.優(yōu)質(zhì)的品質(zhì):高頻,高穩(wěn),高溫,高質(zhì)量,小尺寸,低相噪,低抖動(dòng),低能耗,低損耗,低功率,底電源電壓等優(yōu)勢(shì)的進(jìn)口差分晶振.是國(guó)內(nèi)最早采用SMD全自動(dòng)化生產(chǎn)企業(yè),并且2005年在贛州地區(qū)信豐工業(yè)園自購(gòu)?fù)恋嘏d建現(xiàn)代化生產(chǎn)廠房,實(shí)至名歸晶振廠家高新企業(yè),產(chǎn)品60%用于出口.主要以數(shù)碼產(chǎn)品,智能穿戴,家居智能化,汽車(chē)電子,醫(yī)療設(shè)備,手機(jī)導(dǎo)航等產(chǎn)品為主要客戶源.康華爾電子-以品質(zhì)求生存,完善的工藝,先進(jìn)的設(shè)備,服務(wù)市場(chǎng),服務(wù)客戶.

SG-8018CB

項(xiàng)目		符號(hào)	規(guī)格說(shuō)明				條件
電源電壓		V_CC	1.80 V Typ.		2.50 V Typ.	3.30 V Typ.
電源電壓		V_CC	1.62 to 1.98V	1.98 to 2.20V	2.20 to 2.80V	2.70 to 3.63 V
輸出頻率范圍		f₀	0.67 MHz to 170 MHz
儲(chǔ)存溫度		T_stg	-40°C to +125°C				裸存
工作溫度		T_use	H: -40°C to +105°C
頻率穩(wěn)定度 *1		f_tol	J: ±50 × 10^-6				T_use= -40°C to +105°C
功耗		I_CC	3.2mA Max.	3.3mA Max.	3.4mA Max.	3.5mA Max.	T_use=+105°C		無(wú)負(fù)載條件 f₀= 20 MHz
			2.7mA Typ.		2.9mA Typ.	3.0mA Typ.	T_use=+25°C		無(wú)負(fù)載條件 f₀= 20 MHz
			5.5mA Max.	5.8mA Max.	6.7mA Max.	8.1mA Max.	T_use=+105°C		無(wú)負(fù)載條件 f₀= 170 MHz
			4.7mA Typ.		5.7mA Typ.	6.8mA Typ.	T_use=+25°C		無(wú)負(fù)載條件 f₀= 170 MHz
輸出禁用電流		I_dis	3.2mA Max.	3.2mA Max.	3.3mA Max.	3.5mA Max.	OE=GND , f₀ = 170 MHz
待機(jī)電流		I_std	0.9μA Max.	1.0μA Max.	1.5μA Max.	2.5μA Max.	T_use=+105°C		ST = GND
待機(jī)電流		I_std	0.3μA Typ.	0.4μA Typ.	0.5μA Typ.	1.1μA Typ.	T_use= +25°C		ST = GND
占空比		SYM	45% to 55%				50% V_CC 級(jí)
輸出電壓 (DC特性)		V_OH	90% V_CC Min.				[mA]
							tr / tf	V_CC		A	B	C	D
							默認(rèn) (f₀>40MHz) 快速	I_OH		-2.5	-3.5	-4.0	-5.0
							默認(rèn) (f₀>40MHz) 快速	I_OL		2.5	3.5	4.0	5.0
							默認(rèn) (f₀≦40MHz)	I_OH		-1.5	-2.0	-2.5	-3.0
		V_OL	10% V_CC Max.				默認(rèn) (f₀≦40MHz)	I_OL		1.5	2.0	2.5	3.0
							緩慢	I_OH		-1.0	-1.5	-2.0	-2.5
							緩慢	I_OL		1.0	1.5	2.0	2.5
							A: 1.62 to 1.98 V , B: 1.98 to 2.20 V C: 2.20 to 2.80 V , D: 2.70 to 3.63 V
輸出負(fù)載條件 (CMOS)		L_CMOS	15pF Max.
輸入電壓		V_IH	70% V_CC Min.				OE or ST
輸入電壓		V_IL	30% V_CC Max.				OE or ST
上升/下降時(shí)間	默認(rèn)	tr / tf	3.0 ns Max.				f₀> 40MHz		20% V_CC to 80% V_CC級(jí) L_CMOS=15pF
	默認(rèn)		6.0 ns Max.				f₀ ≦ 40MHz
	快速		3.0 ns Max.				f₀=0.67to170MHz
	緩慢		10.0 ns Max.				f₀=0.67to20MHz
禁用時(shí)間		t_stp	1 μs Max.				從OE和ST 引腳越過(guò)30%的V_CC時(shí)測(cè)量
啟用時(shí)間		t_sta	1 μs Max.				從OE引腳越過(guò)70%的V_CC時(shí)測(cè)量
恢復(fù)時(shí)間		t_res	3 ms Max.				從ST引腳跨越70%V_CC時(shí)測(cè)量
振蕩器啟動(dòng)時(shí)間		t_str	3 ms Max.				從V_CC達(dá)到其額定的最小值，1.62 V隨時(shí)間測(cè)量
頻率老化		f_aging	這包含在頻率容差規(guī)范				+25°C, 10年

SG-8018CB晶振石英晶體振蕩器低耗能晶振

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: 村田晶振,XRCLH晶振,XRCLH16M000F1QA2P0晶振,無(wú)源晶振; 小型貼片石英晶振主要采用了，先進(jìn)的晶片的拋光工藝技術(shù)，是晶體行業(yè)中石英晶片研磨技術(shù)中表面處理的最高技術(shù)，最終使晶片表面更光潔，平行度及平面度更好，大大的降低諧振電阻，使精度得到了很大的提升。改變了傳統(tǒng)的生產(chǎn)工藝，使產(chǎn)品在各項(xiàng)參數(shù)得到了很大的改良,外觀尺寸具有薄型表面貼片型石英晶體諧振器,特別適用于有小型化要求的市場(chǎng)領(lǐng)域,比如智能手機(jī),無(wú)線藍(lán)牙,平板電腦等電子數(shù)碼產(chǎn)品.