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愛普生晶振,SG-8101CA晶振,可編程晶振

頻率:0.67MHZ~170MHZ

尺寸:7.0*5.0mm

智能手機有源晶振,產品具有高精度超小型的表面貼片型石英晶體振蕩器,適用于移動通信終端的基準時鐘等移動通信領域.比如智能手機,無線通信,衛星導航,平臺基站等數碼產品類別,晶振本身小型,薄型具備各類移動通信的基準時鐘源用頻率,貼片晶振具有優良的電氣特性,耐環境性能適用于移動通信領域,滿足無鉛工作的高溫回流溫度曲線要求.
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1愛普生晶振,SG-8101CA晶振,可編程晶振

  EPSON愛普生公司成立于1942年5月,總部位于日本長野縣諏訪市,是全球數一數二的晶振制造商,是數碼映像領域的全球領先企業.全稱為愛普生拓優科夢(Epson Toyocom)將進一步究極用精微加工發揮“石英”材料的優越性能的“QMEMS”技術,創造出體積更小,更高性能或全新功能的電子元器件.愛普生晶振在32.768KHZ,MHZ,以及GHZ上都有重大突破,使得愛普生拓優科夢的晶體元器件已以23%的市場占有率位于業界第一.主要產品系列:無源晶振,有源晶振,可編程晶振,SMD crystal,DIP crystal,石英晶體振蕩器,溫補晶振,壓控石英水晶振蕩子,VC-TCXO等等.獨創QMEMS技術,生產出更小更高性能和全新功能的晶振產品.全球晶振產品市場占有率最大.可編程晶振能適應各種客戶的獨特需求.由于其制造工藝處于世界頂尖水平,價格也是相對于其他平牌要高.被廣泛的應用于各類計量儀表,醫療電子設備,汽車電子和各類高端消費類電子產品.
  2010年晶振全球廠家排名中,在占據首位.愛普生僅此一項水晶振動子行業就能足矣讓電子世界的人都敬佩不已.愛普生晶振以32.768KHZ晶振稱霸晶振行業,主要消費在手機,PCB,等電子產品.同時愛普生以提供原子鐘的精準振蕩器知名業界.僅此在音叉振子和振蕩器還達不到愛普生本身的要求.他們要求的是在元器件占領NO1.因此除了KHZ,MHZ的研究發展,另外還發明GHZ技術,使工藝技術達到人無完人,史前無例,實現以基波方式產生2.5GHZ為止高頻的表面聲波(SAW)元器件.

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愛普生晶振,SG-8101CA晶振,可編程晶振

全套日本愛普生晶振生產設備,全自動封膠點焊,網絡系統自動分頻檢測設備,SMD全套現代化生產線.貼片晶振,全套材料采用日本進口,日本電波NDK晶振原廠供應晶片材料,采用KYOCER CRYSTAL京瓷晶振外殼基座.主要生產:石英晶振,貼片晶振,有源晶振,石英晶體諧振器,石英晶體振蕩器,32.768K鐘表晶振,陶瓷霧化片,晶振,諧振器,等產品.并且代理日本進口晶振,愛普生晶振,KDS晶振,精工晶振,京瓷晶振,NDK晶振,村田晶振等多家日本一線品牌.與我國臺灣,TXC晶振,鴻星晶振,希華晶振,加高晶振等品牌成為戰略合作伙伴.

  2018年與多個歐美晶振品牌簽訂代銷代理同盟合作關系:ECS晶振,Abracon晶振,CTS晶振,JAUCH晶振,的多個有源晶振進口品牌合作關系,主要以車規晶振,工業級晶振,差分晶振,差分晶體振蕩器,進口差分晶振,軍工晶體為主打.優質的品質:高頻,高穩,高溫,高質量,小尺寸,低相噪,低抖動,低能耗,低損耗,低功率,底電源電壓等優勢的進口差分晶振.是國內最早采用SMD全自動化生產企業,并且2005年在贛州地區信豐工業園自購土地興建現代化生產廠房,實至名歸晶振廠家高新企業,產品60%用于出口.主要以數碼產品,智能穿戴,家居智能化,汽車電子,醫療設備,手機導航等產品為主要客戶源.康華爾電子-以品質求生存,完善的工藝,先進的設備,服務市場,服務客戶.

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SG-8101CA CB CE CG CMOS

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項目 符號 規格說明 條件
電源電壓 VCC 1.80 V Typ. 2.50 V Typ. 3.30 V Typ.
1.62 to 1.98V 1.98 to 2.20V 2.20 to 2.80V 2.70 to 3.63 V
輸出頻率范圍 f0 0.67 MHz to 170 MHz
儲存溫度 T_stg -40℃ to +125℃ 裸存
工作溫度 T_use G: -40℃ to +85℃
H: -40℃ to +105℃
頻率穩定度 *1 f_tol B: ±15 × 10-6 T_use= -40℃ to +85℃
C: ±20 × 10-6 T_use= -40℃ to +105℃
J: ±50 × 10-6 T_use= -40℃ to +105℃
功耗 ICC 3.2mA Max. 3.3mA Max. 3.4mA Max. 3.5mA Max. T_use= +105℃ 無負載條件
f= 20 MHz
2.7mA Typ. 2.9mA Typ. 3.0mA Typ. T_use= +25℃
5.5mA Max. 5.8mA Max. 6.7mA Max. 8.1mA Max. T_use= +105℃ 無負載條件
f= 170 MHz
4.7mA Typ. 5.7mA Typ. 6.8mA Typ. T_use= +25℃
輸出禁用電流 I_dis 3.2mA Max. 3.2mA Max. 3.3mA Max. 3.5mA Max. OE=GND , f0 = 170 MHz
待機電流 I_std 0.9μA Max. 1.0μA Max. 1.5μA Max. 2.5μA Max. T_use= +105℃ ST = GND
0.3μA Typ. 0.4μA Typ. 0.5μA Typ. 1.1μA Typ. T_use= +25℃
占空比 SYM 45% to 55% 50% VCC 級
輸出電壓
(DC特性)
VOH 90% VCC Min. [mA]
tr / tf Vcc A B C D
默認
(f0>40MHz)
快速
IOH -2.5 -3.5 -4.0 -5.0
IOL 2.5 3.5 4.0 5.0
默認
(f0≦40MHz)
IOH -1.5 -2.0 -2.5 -3.0
VOL 10% VCC Max. IOL 1.5 2.0 2.5 3.0
緩慢 IOH -1.0 -1.5 -2.0 -2.5
IOL 1.0 1.5 2.0 2.5
A: 1.62 to 1.98 V , B: 1.98 to 2.20 V
C: 2.20 to 2.80 V , D: 2.70 to 3.63 V
輸出負載條件
(CMOS)
L_CMOS 15pF Max.
輸入電壓 VIH 70% VCC Min. OE or ST
VIL 30% VCC Max.
上升/下降時間 默認 tr / tf 3.0 ns Max. f> 40MHz 20% VCC to 80% VCC
L_CMOS=15pF
6.0 ns Max. f0 ≦ 40MHz
快速 3.0 ns Max. f0=0.67to170MHz
緩慢 10.0 ns Max. f0=0.67to20MHz
禁用時間 t_stp 1 μs Max. 從OE和ST 引腳越過30%的Vcc時測量
啟用時間 t_sta 1 μs Max. 從OE引腳越過70%的Vcc時測量
恢復時間 t_res 3 ms Max. 從ST引腳跨越70%Vcc時測量
振蕩器啟動時間 t_str 3 ms Max. 從Vcc達到其額定的最小值,1.62 V隨時間測量
頻率老化 f_aging 這包含在頻率容差規范 +25℃, 第一年
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愛普生晶振,MG7050VAN晶振,LVDS晶振
愛普生晶振,MG7050VAN晶振,LVDS晶振
小型貼片石英晶振主要采用了,先進的晶片的拋光工藝技術,是晶體行業中石英晶片研磨技術中表面處理的最高技術,最終使晶片表面更光潔,平行度及平面度更好,大大的降低諧振電阻,使精度得到了很大的提升。改變了傳統的生產工藝,使產品在各項參數得到了很大的改良,外觀尺寸具有薄型表面貼片型石英晶體諧振器,特別適用于有小型化要求的市場領域,比如智能手機,無線藍牙,平板電腦等電子數碼產品。
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