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愛普生晶振,TG2520SMN晶振,溫補晶振

頻率：10MHZ~55MHZ

尺寸：2.5*2.0mm

貼片石英晶體,體積小,焊接可采用自動貼片系統(tǒng),產(chǎn)品本身小型,表面貼片晶振,特別適用于有小型化要求的電子數(shù)碼產(chǎn)品市場領域,因產(chǎn)品小型,薄型優(yōu)勢,耐環(huán)境特性,包括耐高溫,耐沖擊性等,在移動通信領域得到了廣泛的應用,晶振產(chǎn)品本身可發(fā)揮優(yōu)良的電氣特性,滿足無鉛焊接的高溫回流溫度曲線要求.

訂購熱線：86-0755-27838351

愛普生晶振,TG2520SMN晶振,溫補晶振

愛普生株式會社EPSON晶振,愛普生拓優(yōu)科夢,(EPSON—YOCOM)1942年成立時是精工集團的第三家手表制造公司,以石英手表起家的愛普生公司到后續(xù)的生產(chǎn)壓電石英晶振, 晶振,石英晶振,有源晶振,壓控振蕩器, 壓控晶體振蕩器（VCXO）、溫補晶體振蕩器（TCXO）。1996年2月在中國蘇州投資建廠,在當時員工人數(shù)就達2000人,總投資4.055億美元,公司占地200畝,現(xiàn)已經(jīng)是世界500強企業(yè).

日本精工愛普生晶振接受了中國蘇州政府2007 年的招商引資,命名為【愛普生拓優(yōu)科夢水晶元器件(蘇州)有限公司】愛普生拓優(yōu)科夢(Epson Toyocom)是精工愛普生株式會社與愛普生晶振(中國)有限公司共同投資成立的有限責任公司(外商合資).

愛普生晶振公司已經(jīng)建立了一個原始的垂直整合制造模型的最佳手段持續(xù)為客戶創(chuàng)造新的價值,并決定使用這個模型來驅(qū)動前面提到的四個關鍵領域的創(chuàng)新.這意味著從頭開始創(chuàng)建產(chǎn)品:創(chuàng)建我們自己的獨特的核心技術和設備,使用這些作為基地的規(guī)劃和設計提供獨特價值的產(chǎn)品,生產(chǎn)或制造的藝術和科學,我們積累了多年的專業(yè)知識,然后生產(chǎn)晶振,石英晶振,有源晶振,壓控振蕩器, 32.768K鐘表晶振,溫補晶振等出售給我們的客戶.

愛普生晶振公司加強人力資源的全功能,技術,生產(chǎn),銷售和支持和環(huán)境問題,利用信息技術,推進我們的原始制造模式尋求實現(xiàn)我們的愿景.視野下就像我提到的,我們的目標是使用我們的技術來創(chuàng)建一個新的連接人的時代,事物和信息,這樣我相信我們可以成為不可或缺的公司為我們的客戶和社會.

愛普生晶振,TG2520SMN晶振,溫補晶振

所有產(chǎn)品的共同點1：抗沖擊:抗沖擊是指筆記本電腦晶振產(chǎn)品可能會在某些條件下受到損壞。例如從桌上跌落,摔打,高空拋壓或在貼裝過程中受到?jīng)_擊。如果產(chǎn)品已受過沖擊請勿使用。因為無論何種石英晶振,其內(nèi)部晶片都是石英晶振制作而成的,高空跌落摔打都會給晶振照成不良影響。 2：輻射:將貼片晶振暴露于輻射環(huán)境會導致產(chǎn)品性能受到損害,因此應避免陽光長時間的照射。 3：化學制劑 / pH值環(huán)境:請勿在PH值范圍可能導致腐蝕或溶解石英晶振或包裝材料的環(huán)境下使用或儲藏這些產(chǎn)品。愛普生晶振,有源晶振,XG5032HAN晶振,X1M0004610001晶振

4：粘合劑:請勿使用可能導致5032系列晶振所用的封裝材料,終端,組件,玻璃材料以及氣相沉積材料等受到腐蝕的膠粘劑。（比如,氯基膠粘劑可能腐蝕一個晶振的金屬“蓋”,從而破壞密封質(zhì)量,降低性能。） 5：鹵化合物:請勿在鹵素氣體環(huán)境下使用晶振。即使少量的鹵素氣體,比如在空氣中的氯氣內(nèi)或封裝所用金屬部件內(nèi),都可能產(chǎn)生腐蝕。同時,請勿使用任何會釋放出鹵素氣體的樹脂。6：靜電:過高的靜電可能會損壞貼片晶振,請注意抗靜電條件。請為容器和封裝材料選擇導電材料。在處理的時候,請使用電焊槍和無高電壓泄漏的測量電路,并進行接地操作。

晶振產(chǎn)品使用每種產(chǎn)品時,請在有源六腳晶振規(guī)格說明或產(chǎn)品目錄規(guī)定使用條件下使用。因很多種晶振產(chǎn)品性能,以及材料有所不同,所以使用注意事項也有所不同,比如焊接模式,運輸模式,保存模式等等,都會有所差別。

TG2520SMN

項目	符號	規(guī)格說明		條件
項目	符號	VC-TCXO	TCXO	條件
輸出頻率范圍	f₀	10 MHz to 55MHz		請與我們聯(lián)系非標準頻率
輸出頻率范圍	f₀	19.2MHz , 26MHz , 38.4MHz		標準頻率
電源電壓	V_CC	1.8V ±0.1V / 2.8V ±5% / 3.0V ±5% / 3.3V ±5%		電源電壓范圍:1.7V to 3.63V
儲存溫度范圍	T_stg	-40°C to +90°C		裸存
工作溫度范圍	T_use	G: -40°C to +85°C
工作溫度范圍	f_tol	±1.5 ×10^-6 Max.		在回流焊后,+25°C
頻率溫度特征	f₀-T_C	C: ±0.5 × 10^-6 Max. / G: -40°C to +85°C F: ±2.0 × 10^-6 Max. / G: -40°C to +85°C
頻率負載變動特征	f₀-Load	±0.1 × 10^-6 Max.		10kΩ // 10pF ±10%
頻率電源電壓特征	f₀-V_CC	±0.1 × 10^-6 Max.		V_CC ± 5%
頻率老化	f_age	±0.5 × 10^-6 Max.		+25°C,第一年, 10 MHz 12 MHz ≦ f₀≦ 20 MHz 24 MHz ≦ f₀≦ 40 MHz
頻率老化	f_age	±1.5 × 10^-6 Max.		+25°C,第一年, 10 MHz < f₀< 12 MHz 20 MHz < f₀< 24 MHz 40 MHz < f₀≦ 55 MHz
功耗	I_CC	1.5 mA Max.		10 MHz ≦ f₀≦ 26 MHz
		1.8 mA Max.		26 MHz < f₀≦ 40 MHz
		2.0 mA Max.		40 MHz < f₀≦ 50 MHz
		2.1 mA Max.		50 MHz < f₀≦ 55 MHz
輸入電阻	Rin	500 kΩ Min.	-	V_C- GND(DC)
頻率控制范圍	f_cont	±8.0 × 10^-6 to ±12.0 × 10^-6	-	B: V_C =0.9V ±0.6V (V_CC=1.8V) C: V_C =1.4V ±1.0V (V_CC=2.8V) D: V_C =1.5V ±1.0V (V_CC=3.0V) E: V_C =1.65V ±1.0V (V_CC=3.3V)
頻率變化極	-	正極	-
占空比	SYM	45% to 55%		GND 極 (DC 切割)
出力電圧	V_PP	0.8V Min.		峰-峰值
振蕩啟動時間	t_str	1.0 ms Max.		在90 % VCC 時，所需時間為0 秒
出力負荷條件	Load_R	10kΩ		DC 切割電容 = 0.01µF
出力負荷條件	Load_C	10pF		DC 切割電容 = 0.01µF

TG2520SMN晶振溫補振蕩器低相噪晶振

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: KDS晶振,DSO221SBM晶振,有源晶振; 小型貼片石英晶振主要采用了，先進的晶片的拋光工藝技術，是晶體行業(yè)中石英晶片研磨技術中表面處理的最高技術，最終使晶片表面更光潔，平行度及平面度更好，大大的降低諧振電阻，使精度得到了很大的提升。改變了傳統(tǒng)的生產(chǎn)工藝，使產(chǎn)品在各項參數(shù)得到了很大的改良,外觀尺寸具有薄型表面貼片型石英晶體諧振器,特別適用于有小型化要求的市場領域,比如智能手機,無線藍牙,平板電腦等電子數(shù)碼產(chǎn)品.