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愛普生晶振,貼片晶振,TG-5032CGN晶振

頻率：10-40MHZ

尺寸：5.0*3.2mm

智能手機晶振,產品具有高精度超小型的表面貼片型石英晶體振蕩器,最適用于移動通信終端的基準時鐘等移動通信領域.比如智能手機,無線通信,衛星導航,平臺基站等較高端的數碼產品,晶振本身小型,薄型具備各類移動通信的基準時鐘源用頻率,貼片晶振具有優良的電氣特性,耐環境性能適用于移動通信領域,滿足無鉛焊接的高溫回流溫度曲線要求.

訂購熱線：86-0755-27838351

EPSON晶振,貼片晶振,TG-5032CGN晶振,小型表面貼片晶振型,是標準的石英晶體諧振器,適用于寬溫范圍的電子數碼產品,家電電器及MP3,MP4,播放器,單片機等領域.可對應8.000MHz以上的頻率,在電子數碼產品,以及家電相關電器領域里面發揮優良的電氣特性,滿足無鉛焊接的回流溫度曲線要求.

石英晶振高頻振蕩器使用IC與晶片設計匹配技術：有源晶振是高頻振蕩器研發及生產過程必須要解決的技術難題。在設計過程中除了要考慮石英晶體諧振器具有的電性外，還有石英晶體振蕩器的電極設計等其它的特殊性，必須考慮石英晶體振蕩器的供應電壓、起動電壓和產品上升時間、下降時間等相關參數。

項目	符號	規格說明	條件
輸出頻率范圍	f₀	10-40MHZ	請聯系我們以便獲取其它可用頻率的相關信息
電源電壓	V_CC	1.60 V to 3.63 V	請聯系我們以了解更多相關信息
儲存溫度	T_stg	-55℃ to +125℃	裸存
工作溫度	T_use	G: -40℃ to +85℃	請聯系我們查看更多資料http://www.mtrpxt.cn
		H: -40℃ to +105℃
		J: -40℃ to +125℃
頻率穩定度	f_tol	J: ±50 × 10^-6
		L: ±100 × 10^-6
		T: ±150 × 10^-6
功耗	I_CC	3.5 mA Max.	無負載條件、最大工作頻率
待機電流	I_std	3.3μA Max.	ST=GND
占空比	SYM	45 % to 55 %	50 % VCC 極, L_CMOS≦15 pF
輸出電壓	V_OH	V_CC-0.4V Min.
輸出電壓	V_OL	0.4 V Max.
輸出負載條件	L_CMOS	15 pF Max.
輸入電壓	V_IH	80% V_CC Max.	ST 終端
輸入電壓	V_IL	20 % V_CC Max.	ST 終端
上升/下降時間	tr / tf	4 ns Max.	20 % V_CC to 80 % V_CC 極, L_CMOS=15 pF
振蕩啟動時間	t_str	3 ms Max.	t=0 at 90 %
頻率老化	f_aging	±3 × 10^-6 / year Max.	+25 ℃, 初年度,第一年

智能手機晶振,超小型SMD晶振,TG5032CGN晶振

請測量使用示波器或頻率計數器石英晶振的兩個端子的信號，如果頻率不在規定范圍內，它的輸出波形的幅度是不夠的（例如超過+/-200ppm的），請按照步驟2-3步驟2-5。

The formula for Capacitances versus Frequency is as following:

該公式的電容與頻率是如下：

FL = FR * (1 + C1 / 2 * (C0 + CL) ) where

如果由頻率計數器測量的頻率比目標頻率高，要增加有源晶振的電容（CL，或Cd以及C 8）的值，以降低頻率到目標頻率，反之亦然。請檢查波形幅度是否改善或沒有經過我們調整頻率。如果它的改善，這表示移動通訊晶振該電路的原始設計不是調諧到最佳共振點為晶體的情況。該晶振應正常后，諧振點的調整。如果波形幅度甚至沒有提高的頻率非常接近目標頻率，我們可以通過以下三種方法改進：

方法1：降低產品線路外部電容（Cd和CG）的值，并通過晶體具有較低負載電容（CL）。

方法2：采用小電阻（RR）的晶體。

方法3：使用鎘和CG的不等價的設計。

我們可以增加鎘（XOUT）的負載電容和降低CG（辛）的負載電容以提高從霧化片廠家辛波形幅度將在其后端電路中使用的輸出。我們建議您使用上面的方法來節省成本，保證安全。請用頻率計數器來測量所述晶體，以確保經調整頻率仍然滿足原說明書后的波形的振幅進行了改進。如果頻率不符合規格，請采用晶體合適的CL值為根據您的目標頻率。請采用晶振具有較低的CL如果頻率比目標頻率，反之亦然高得多系統不能正常工作，由于輸出頻率會偏差很大。

愛普生晶振,貼片晶振,TG-5032CGN晶振

智能手機晶振超小型SMD晶振 TG5032CGN晶振

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