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KDS晶振,壓控晶振,DSV321SR晶振,1XVD051993VB晶振

頻率：13.5-54MHZ

尺寸：3.2*2.5mm

小型貼片壓控晶振,外觀尺寸具有薄型表面貼片型石英晶體振蕩器,特別適用于有小型化要求的市場領域,比如智能手機,無線藍牙,平板電腦等電子數碼產品.晶振本身超小型,薄型,重量輕,晶體具有優良的耐環境特性,如耐熱性,耐沖擊性,在辦公自動化,家電相關電器領域及Bluetooth,Wireless LAN等短距離無線通信領域可發揮優良的電氣特性,滿足無鉛焊接的回流溫度曲線要求.

訂購熱線：86-0755-27838351

KDS晶振,壓控晶振,DSV321SR晶振,1XVD051993VB晶振,超小型表面貼片型SMD晶振,最適合使用在汽車電子領域中,也是特別要求高可靠性的引擎控制用CPU的時鐘部分.低頻晶振可從7.98MHz起對應,小型,超薄型具備強防焊裂性,石英晶體在極端嚴酷的環境條件下也能發揮穩定的起振特性,產品本身具有耐熱,耐振,耐撞擊等優良的耐環境特性,滿足無鉛焊接以及高溫回流溫度曲線要求,符合AEC-Q200標準.

有源晶振高頻振蕩器使用IC與晶片設計匹配技術：有源晶振是高頻振蕩器研發及生產過程必須要解決的技術難題。在設計過程中除了要考慮石英晶體諧振器具有的電性外，還有石英晶體振蕩器的電極設計等其它的特殊性，必須考慮石英晶體振蕩器的供應電壓、起動電壓和產品上升時間、下降時間等相關參數。

低頻率穩定輸出晶振,3225金屬表面封裝晶振,DSX321SH晶振

項目	符號	規格說明	條件
輸出頻率范圍	f₀	13.5-54 MHz	請聯系我們以便獲取其它可用頻率的相關信息
電源電壓	V_CC	1.8 V	請聯系我們以了解更多相關信息
儲存溫度	T_stg	-40℃ to +85℃	裸存
工作溫度	T_use	G: -10℃ to +70℃	請聯系我們查看更多資料http://www.mtrpxt.cn
		H: -30℃ to +85℃

頻率穩定度	f_tol	J: ±50 × 10^-6
		L: ±100 × 10^-6
		T: ±150 × 10^-6
功耗	I_CC	3.5 mA Max.	無負載條件、最大工作頻率
待機電流	I_std	3.3μA Max.	ST=GND
占空比	SYM	45 % to 55 %	50 % VCC 極, L_CMOS≦15 pF
輸出電壓	V_OH	V_CC-0.4V Min.
輸出電壓	V_OL	0.4 V Max.
輸出負載條件	L_CMOS	15 pF Max.
輸入電壓	V_IH	80% V_CC Max.	ST 終端
輸入電壓	V_IL	20 % V_CC Max.	ST 終端
上升/下降時間	tr / tf	4 ns Max.	20 % V_CC to 80 % V_CC 極, L_CMOS=15 pF
振蕩啟動時間	t_str	3 ms Max.	t=0 at 90 %
頻率老化	f_aging	±3 × 10^-6 / year Max.	+25 ℃, 初年度,第一年

DSV321SV 2.8V3.3V KDS有源晶振產品列表：

DSV211SV DSV531SV

低頻率穩定輸出晶振,3225金屬表面封裝晶振,DSX321SH晶振

1：抗沖擊

抗沖擊是指VCXO晶振產品可能會在某些條件下受到損壞。例如從桌上跌落,摔打,高空拋壓或在貼裝過程中受到沖擊。如果3225封裝晶振產品已受過沖擊請勿使用。因為無論何種石英晶振,其內部晶片都是石英晶振制作而成的,高空跌落摔打都會給晶振照成不良影響。

2：輻射

將貼片晶振暴露于輻射環境會導致產品性能受到損害,因此應避免陽光長時間的照射。

3：化學制劑 / pH值環境

請勿在PH值范圍可能導致腐蝕或溶解石英晶振或包裝材料的環境下使用或儲藏這些產品。

4：粘合劑

請勿使用可能導致石英貼片晶振所用的封裝材料,終端,組件,玻璃材料以及氣相沉積材料等受到腐蝕的膠粘劑。（比如,氯基膠粘劑可能腐蝕一個晶振的金屬“蓋”,從而破壞密封質量,降低性能。）

5：鹵化合物

請勿在鹵素氣體環境下使用貼片壓控晶振。即使少量的鹵素氣體,比如在空氣中的氯氣內或封裝所用金屬部件內,都可能產生腐蝕。同時,請勿使用任何會釋放出鹵素氣體的樹脂。

6：靜電

過高的靜電可能會損壞貼片晶振,請注意抗靜電條件。請為容器和封裝材料選擇導電材料。在處理的時候,請使用電焊槍和無高電壓泄漏的測量電路,并進行接地操作。

KDS晶振,壓控晶振,DSV321SR晶振,1XVD051993VB晶振

3225SMD晶振日產有源晶振 DSV321SR晶振 1XVD051993VB晶振

采購：KDS晶振,壓控晶振,DSV321SR晶振,1XVD051993VB晶振

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