愛普生晶振,TG5032CFN晶振,有源晶體振蕩器
愛普生株式會社EPSON晶振,愛普生拓優科夢,(EPSON—YOCOM)1942年成立時是精工集團的第三家手表制造公司,以石英手表起家的愛普生公司到后續的生產壓電石英晶振, 晶振,石英晶振,有源晶振,壓控振蕩器, 壓控晶體振蕩器（VCXO）、溫補晶體振蕩器（TCXO）。1996年2月在中國蘇州投資建廠,在當時員工人數就達2000人,總投資4.055億美元,公司占地200畝,現已經是世界500強企業.
日本精工愛普生晶振接受了中國蘇州政府2007 年的招商引資,命名為【愛普生拓優科夢水晶元器件(蘇州)有限公司】愛普生拓優科夢(Epson Toyocom)是精工愛普生株式會社與愛普生晶振(中國)有限公司共同投資成立的有限責任公司(外商合資).
愛普生晶振公司已經建立了一個原始的垂直整合制造模型的最佳手段持續為客戶創造新的價值,并決定使用這個模型來驅動前面提到的四個關鍵領域的創新.這意味著從頭開始創建產品:創建我們自己的獨特的核心技術和設備,使用這些作為基地的規劃和設計提供獨特價值的產品,生產或制造的藝術和科學,我們積累了多年的專業知識,然后生產晶振,石英晶振,有源晶振,壓控振蕩器, 32.768K鐘表晶振,溫補晶振等出售給我們的客戶.
愛普生晶振公司加強人力資源的全功能,技術,生產,銷售和支持和環境問題,利用信息技術,推進我們的原始制造模式尋求實現我們的愿景.視野下就像我提到的,我們的目標是使用我們的技術來創建一個新的連接人的時代,事物和信息,這樣我相信我們可以成為不可或缺的公司為我們的客戶和社會.
愛普生晶振,TG5032CFN晶振,有源晶體振蕩器
愛普生株式會社EPSON晶振通過追求以QMEMS 技術為核心的“省、小、精”技術,來推動具有領先性的環?；顒?/span>,把降低 環境負荷作為一種顧客價值提供給顧客。
創造并提供專研了“省、小、精”的32.768K鐘表晶振,溫補晶振晶振,石英晶振,有源晶振,壓控振蕩器等水晶元器件及其關聯產品；并且構筑和革新既可以降低 環境負荷又可以提高生產性的生產流程的活動。
愛普生株式會社EPSON晶振不僅遵守與環保相關的法規、條例及其他本公司贊同的要求事項,也根據需要自主性的制定基準,通過持續性的展開環?；顒觼眍A防污染。
在設定環保目的與目標展開活動的同時,定期重審環境管理體系,努力提高環保活動的水平。
愛普生株式會社EPSON晶振通過與地區的交流及社會貢獻活動，為地區的環保做貢獻。
將環?；顒拥男畔⑾蚬緝韧夤_，積極努力的與地區社會及相關人員建立信賴關系，為社會的發展做出貢獻。
通過此方針的公文化，在向公司員工及從事本事業領域業務的所有相關人員徹底傳達的同時，也向公司外部公開。
愛普生晶振集團將建立可行的技術及經濟性環境目標，并確保其環境保護活動的質量。
愛普生晶振集團公司將關注所有環境適用的法律、法規和協議的遵守情況。另外為更有效的進行環境保護，將建立自己的特有的環境標準。
精工愛普生晶振集團將在各領域內的商務運作中實施持續改進，包括能源資源的保持，回收再利用以及減少廢棄物等。
項目
符號
TG5032CFN
(CMOS)
條件
VC-TCXO
TCXO
輸出頻率范圍
f0
10 MHz ~ 40 MHz
10, 12.8, 19.2, 20, 24.576,
25, 25.6, 26, 30.72, 38.4, 38.88, 40 MHz
標準頻率
電源電壓
VCC
C: 3.3 V ± 5 % (標準)
(電源電壓范圍 : 2.375 V ~ 3.63 V)
儲存溫度范圍
T_stg
-40°C ~ +90°C
裸存
工作溫度范圍
T_use
G: -40 °C ~ +85°C
a) 頻率初期公差
f_tol
± 1.0 × 10-6Max.
在回流焊后, +25 °C
b) 頻率溫度特征
fo-TC
A: ± 0.1 × 10-6Max. / G: -40 °C ~ +85°C
H: ± 0.25 × 10-6Max. / G: -40 °C ~ +85°C
B: ± 0.28 × 10-6Max. / G: -40 °C ~ +85°C
頻率 (fmax + fmin) / 2 基準
c) 頻率負載變動特征
fo-Load
± 0.1 × 10-6Max.
Load ± 10 %
d) 頻率電源電壓特征
fo-VCC
± 0.1 × 10-6Max.
Vcc ± 5 %
e) 頻率老化
f_age
± 0.5 × 10-6Max
+25°C , 第一年
± 3.0 × 10-6Max.
+25°C , 20年
Holdover stability
(溫度固定)
-
± 0.01 × 10-6Max. (+25 °C , 24時間)
工作開始10日后基準
± 0.04 × 10-6Max. (+25 °C , 24時間)
工作開始48時間后基準
Wander generation
( MTIE, TDEV )
-
-
符合 GR-1244CORE , ITU-T G.8262
Free-run accuracy
-
± 4.6 × 10-6Max.
這包括項目a), b) ,c), d), e)
功耗
ICC
5.0 mA Max.
10 MHz ≦ f0≦ 26MHz
6.0 mA Max.
26 MHz < f0≦ 40 MHz
輸入電阻
Rin
100 kΩ Min.
-
VC- GND (DC)
頻率控制范圍
f_cont
± 5 × 10-6~ ± 10 ×10-6
-
D : VC= 1.5 V ± 1.0 V
at VCC= 3.3V
E : VC= 1.65 V ± 1.0 V
at VCC= 3.3V
頻率變化極
-
正極
-
占空比
SYM
45 % ~ 55 %
GND極 (DC 切割)
輸出電壓
VOH
90 % VCCMin.
VOL
10 % VCCMax.
上升/下降 時間
tr/tf
8.0 ns Max.
10 % VCC~ 90 % VCC極
輸出負載 : 15 pF
振蕩啟動時間
t_str
5.0 ms Max.
在90 % VCC時，所需時間為0 秒
輸出負載
Load
15 pF
KDS晶振,DSV532SV晶振,小型SMD晶振
愛普生晶振,TG5032CGN晶振,高精度晶振
愛普生晶振,TG5032SGN晶振,低電源電壓晶振
愛普生晶振,TG5032SFN晶振,TCXO晶振