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NSK晶振,有源晶體振蕩器,NAOH晶振

頻率:32.768KHZ

尺寸:5.0*3.2*1.2mm

智能手機晶振,產品具有高精度超小型的表面貼片型石英晶體振蕩器,最適用于移動通信終端的基準時鐘等移動通信領域.比如智能手機,無線通信,衛星導航,平臺基站等較高端的數碼產品,晶振本身小型,薄型具備各類移動通信的基準時鐘源用頻率,貼片晶振具有優良的電氣特性,耐環境性能適用于移動通信領域,滿足無鉛焊接的高溫回流溫度曲線要求.
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NSK晶振,有源晶體振蕩器,NAOH晶振.5032mm體積的石英晶體振蕩器有源晶振,改產品可驅動2.5V的溫補晶振,壓控晶振,VC-TCXO晶體振蕩器產品,電源電壓的低電耗型,編帶包裝方式,可對應自動高速貼片機自動焊接,及IR回流焊接(無鉛對應),為無鉛產品,超小型,質地輕.產品被廣泛應用到集成電路,程控交換系統,無線發射基站.

NSK的產品被廣泛地運用在個人計算機,安全系統,通訊,無線應用,遙控單元和消費性電子產品等,并已陸續獲得國內外電腦及通訊大廠認可及使用.NSK晶振已獲得ISO 9001 / ISO 14001的品質和環保認證,產品并通過及符合Rohs規范的要求,且確實配合客戶實現無毒產品的要求,以創造及維護美好環境為己任.NSK之環境管制物質控制規范,系依「歐盟RoHS指令標準參數」,「REACh法規」,「SONY技術標準SS-00259」以及其他客戶要求NSK之環境管制物質控制規范.

貼片晶振晶片邊緣處理技術:貼片晶振是晶片通過滾筒倒邊,主要是為了去除石英晶振晶片的邊緣效應,在實際操作中機器運動方式設計、滾筒的曲率半徑、滾筒的長短、使用的研磨砂的型號、多少、填充物種類及多少等各項設計必須合理,有一項不完善都會使低功耗晶振晶片的邊緣效應不能去除,而石英晶振晶片的諧振電阻過大,用在電路中Q值過小,從而電路不能振動或振動了不穩定.

2

NSK晶振

NAOH晶振

輸出類型

         CMOS

輸出負載

15pF

振蕩模式

基本/第三泛音

電源電壓

+1.8V,+2.5V,+3.3V

頻率范圍

32.768KHZ

頻率穩定度

±25ppm

±30ppm

±50ppm

±100ppm

工作溫度

-20℃~+70℃

保存溫度

-55℃~+125℃

電壓卷(最大值)/ VOH(最小值)

0.1 VDD / 0.9 VDD

啟動時間

5 ms Max

相位抖動(12兆赫~20兆赫)

1個PS最大

老化率

±3 ppm /年最大

3

NAOH 53 5032 32.768k OSC

4

負載電容

振蕩電路中負載電容的不同,可能導致振蕩頻率與設計頻率之間產生偏差.試圖通過強力調整,可能只會導致不正常的振蕩.在使用之前,請指明該振動電路的負載電容(請參閱“負載電容”章節內容).

熱影響

重復的溫度巨大變化可能會降低受損害的5032的產品特性,并導致塑料封裝里的線路擊穿.必須避免這種情況.

抗沖擊

貼片晶振可能會在某些條件下受到損壞.例如從桌上跌落或在貼裝過程中受到沖擊.如果產品已受過沖擊請勿使用.

化學制劑/pH值環境

請勿在PH值范圍可能導致腐蝕或溶解晶振或包裝材料的環境下使用或儲藏這些產品.機械振動的影響,當晶振產品上存在任何給定沖擊或受到周期性機械振動時,比如:壓電揚聲器,壓電蜂鳴器,以及喇叭等,輸出頻率和幅度會受到影響.這種現象對通信器材通信質量有影響.盡管晶體產品設計可小化這種機械振動的影響,我們推薦事先檢查并按照下列安裝指南進行操作.

耐焊性

加熱包裝材料至+150°C以上會破壞產品特性或損害振蕩器.如需在+150°C以上焊接晶體產品,建議使用SMD晶體.在下列回流條件下,對晶體產品甚至石英晶振使用更高溫度,會破壞產品特性.建議使用下列配置情況的回流條件.安裝這些產品之前,應檢查焊接溫度和時間.同時,在安裝條件更改的情況下,請再次進行檢查.如果需要焊接的晶體產品在下列配置條件下進行焊接,請聯系我們以獲取耐熱的相關信息.

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小型貼片石英晶振,外觀尺寸具有薄型表面貼片型石英晶體振蕩器,特別適用于有小型化要求的市場領域,比如智能手機,無線藍牙,平板電腦等電子數碼產品.晶振本身超小型,薄型,重量輕,晶體具有優良的耐環境特性,如耐熱性,耐沖擊性,在辦公自動化,家電相關電器領域及Bluetooth,WirelessLAN等短距離無線通信領域可發揮優良的電氣特性,滿足無鉛焊接的回流溫度曲線要求.

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