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NSK晶振,OSC晶體振蕩器,NAOH53晶振

頻率:1.000MHz~125.000MHz

尺寸:5.2*3.4*1.2mm

5032mm體積的石英晶體振蕩器有源晶振,改產品可驅動2.5V的溫補晶振,壓控晶振,VC-TCXO晶體振蕩器產品,電源電壓的低電耗型,編帶包裝方式,可對應自動高速貼片機自動焊接,及IR回流焊接(無鉛對應),為無鉛產品,超小型,質地輕.產品被廣泛應用到集成電路,程控交換系統,無線發射基站.
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NSK晶振,OSC晶體振蕩器,NAOH53晶振.有源晶振高頻振蕩器使用IC與晶片設計匹配技術:有源晶振是高頻振蕩器研發及生產過程必須要解決的技術難題.在設計過程中除了要考慮石英晶體諧振器具有的電性外,還有石英晶體振蕩器的電極設計等其它的特殊性,必須考慮石英晶體振蕩器的供應電壓、起動電壓和產品上升時間、下降時間等相關參數.

NSK已獲得ISO 9001 / ISO 14001的品質和環保認證,耐高溫晶振產品并通過及符合Rohs規范的要求,且確實配合客戶實現無毒產品的要求,以創造及維護美好環境為己任.NSK之環境管制物質控制規范,系依「歐盟RoHS指令標準參數」,「REACh法規」,「SONY技術標準SS-00259」以及其他客戶要求NSK之環境管制物質控制規范.津綻石英科技股份有限公司擁有超過10年以上的生產經驗,秉持著持續開發與專業技術支持,提供使用者最佳的解決方案及最佳的服務品質.NSK是津綻石英科技股份有限公司于全球的銷售品牌,具有良好競爭性的價格及靈活快速的交易管理.

石英晶振高精度晶片的拋光技術:貼片晶振是目前晶片研磨技術中表面處理技術的最高技術,最終使晶振晶片表面更光潔,平行度及平面度更好,降低諧振電阻,提高Q值.從而達到一般研磨所達不到的產品性能,使石英晶振的等效電阻等更接近理論值,使晶振可在更低功耗下工作.使用先進的牛頓環及單色光的方法去檢測晶片表面的狀態.

2

NSK晶振

NAOH53晶振

輸出類型

         CMOS

輸出負載

15pF

振蕩模式

基本/第三泛音

電源電壓

+1.8V,+2.5V,+2.8V,+3.3V,+5.0V

頻率范圍

1.000MHz~125.000MHz

頻率穩定度

±25ppm

±30ppm

±50ppm

±100ppm

工作溫度

0℃~+70℃

-40℃~+85℃

保存溫度

-55℃~+125℃

電壓卷(最大值)/ VOH(最小值)

0.1 VDD / 0.9 VDD

啟動時間

5 ms Max

相位抖動(12兆赫~20兆赫)

1個PS最大

老化率

±3 ppm /年最大

3

NAOH 53 5032 OSC

4

化學制劑/pH值環境

請勿在PH值范圍可能導致腐蝕或溶解5032晶振或包裝材料的環境下使用或儲藏這些產品.機械振動的影響,當晶振產品上存在任何給定沖擊或受到周期性機械振動時,比如:壓電揚聲器,壓電蜂鳴器,以及喇叭等,輸出頻率和幅度會受到影響.這種現象對通信器材通信質量有影響.盡管晶體產品設計可小化這種機械振動的影響,我們推薦事先檢查并按照下列安裝指南進行操作.

耐焊性

加熱包裝材料至+150°C以上會破壞產品特性或損害振蕩器.如需在+150°C以上焊接晶體產品,建議使用SMD晶體.在下列回流條件下,對晶體產品甚至石英晶振使用更高溫度,會破壞產品特性.建議使用下列配置情況的回流條件.安裝這些產品之前,應檢查焊接溫度和時間.同時,在安裝條件更改的情況下,請再次進行檢查.如果需要焊接的晶體產品在下列配置條件下進行焊接,請聯系我們以獲取耐熱的相關信息.

負載電容

振蕩電路中負載電容的不同,可能導致振蕩頻率與設計頻率之間產生偏差.試圖通過強力調整,可能只會導致不正常的振蕩.在使用之前,請指明該振動電路的負載電容(請參閱“負載電容”章節內容).

熱影響

重復的溫度巨大變化可能會降低受損害的超薄型的產品特性,并導致塑料封裝里的線路擊穿.必須避免這種情況.

抗沖擊

貼片晶振可能會在某些條件下受到損壞.例如從桌上跌落或在貼裝過程中受到沖擊.如果產品已受過沖擊請勿使用.

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小型貼片石英晶振,外觀尺寸具有薄型表面貼片型石英晶體振蕩器,特別適用于有小型化要求的市場領域,比如智能手機,無線藍牙,平板電腦等電子數碼產品.晶振本身超小型,薄型,重量輕,晶體具有優良的耐環境特性,如耐熱性,耐沖擊性,在辦公自動化,家電相關電器領域及Bluetooth,WirelessLAN等短距離無線通信領域可發揮優良的電氣特性,滿足無鉛焊接的回流溫度曲線要求.

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