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CTS晶振,ATS晶振,高質(zhì)量插件晶振

頻率：6MHZ

尺寸：10.08*4.5mm

插件石英晶振最適合用于比較低端的電子產(chǎn)品,比如兒童玩具,普通家用電器,即使在汽車電子領(lǐng)域中也能使產(chǎn)品高可靠性的使用.并且可用于安全控制裝置的CPU時(shí)鐘信號(hào)發(fā)生源部分,好比時(shí)鐘單片機(jī)上的石英晶振,在極端嚴(yán)酷的環(huán)境條件下,進(jìn)口晶振也能正常工作,具有穩(wěn)定的起振特性,高耐熱性,耐熱循環(huán)性和耐振性等的高可靠性能,由于在49/S形晶體諧振器的底部裝了樹脂底座,就可作為產(chǎn)品電氣特性和高可靠性無受損的表面貼片型晶體諧振器使用,滿足無鉛焊接的回流溫度曲線要求.

訂購熱線：86-0755-27838351

CTS晶振,ATS晶振,高質(zhì)量插件晶振.引腳焊接型石英晶體元件.工廠倉庫長時(shí)間大量庫存常用頻點(diǎn),.高精度的頻率和晶振本身更低的等效串聯(lián)電阻.常用負(fù)載電容,49/S石英晶振,因插件型鏡頭成本更低和更高的批量生產(chǎn)能力.主要應(yīng)用于電視,機(jī)頂盒,LCDM和游戲機(jī)家用常規(guī)電器數(shù)碼產(chǎn)品等的最佳選擇.符合RoHS/無鉛.

石英晶振曲率半徑加工技術(shù):石英晶振晶片在球筒倒邊加工時(shí)應(yīng)用到的加工技術(shù),主要是研究滿足不同曲率半徑石英晶振晶片設(shè)計(jì)可使用的方法.如:1、是指球面加工曲率半徑的工藝設(shè)計(jì)(a、球面的余弦磨量;b、球面的均勻磨量;c、球面加工曲率半徑的配合)2、在加工時(shí)球面測量標(biāo)準(zhǔn)的設(shè)計(jì)原則(曲率半徑公式的計(jì)算)

CTS公司成立于1896,是全球設(shè)計(jì)和制造各種電子元器件、傳感器和執(zhí)行器的領(lǐng)導(dǎo)者.主要滿足原始設(shè)備制造商（OEM）的需求,CTS以其超過100年的創(chuàng)新產(chǎn)品和卓越工程而自豪.CTS歐美晶振產(chǎn)品的生產(chǎn)采用最先進(jìn)的技術(shù),由一個(gè)高素質(zhì)和敬業(yè)的員工驅(qū)動(dòng).

金色金屬面石英晶振,DIP封裝49S諧振器,ATS晶振

CTS晶振規(guī)格	單位	ATS晶振	石英晶振基本條件
標(biāo)準(zhǔn)頻率	f_nom	6MHZ	標(biāo)準(zhǔn)頻率
儲(chǔ)存溫度	T_stg	-40°C ～ +85°C	裸存
工作溫度	T_use	-20°C ～ +85°C	標(biāo)準(zhǔn)溫度
激勵(lì)功率	DL	100,1000μW Max.	推薦:100,1000μW
頻率公差	f_— l	±30× 10-6 (標(biāo)準(zhǔn)),	+25°C 對(duì)于超出標(biāo)準(zhǔn)的規(guī)格說明, 請聯(lián)系我們以便獲取相關(guān)的信息,http://www.mtrpxt.cn
頻率溫度特征	f_tem	±50 × 10-6/-20°C ～ +70°C	超出標(biāo)準(zhǔn)的規(guī)格請聯(lián)系我們.
負(fù)載電容	CL	12pF,16PF,18PF,20PF	不同負(fù)載電容要求,請聯(lián)系我們.
串聯(lián)電阻(ESR)	R1	如下表所示	-40°C — +85°C, DL = 100μW
頻率老化	f_age	±3 × 10-6 / year Max.	+25°C,第一年

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抗沖擊

抗沖擊是指插件晶振產(chǎn)品可能會(huì)在某些條件下受到損壞.例如從桌上跌落,摔打,高空拋壓或在貼裝過程中受到?jīng)_擊.如果產(chǎn)品已受過沖擊請勿使用.因?yàn)闊o論何種石英晶振,其內(nèi)部晶片都是石英49S晶振制作而成的,高空跌落摔打都會(huì)給晶振照成不良影響.

機(jī)械振動(dòng)的影響

當(dāng)晶振產(chǎn)品上存在任何給定沖擊或受到周期性機(jī)械振動(dòng)時(shí),比如：壓電揚(yáng)聲器,壓電蜂鳴器,以及喇叭等,輸出頻率和幅度會(huì)受到影響.這種現(xiàn)象對(duì)通信器材通信質(zhì)量有影響.盡管晶振產(chǎn)品設(shè)計(jì)可最小化這種機(jī)械振動(dòng)的影響,我們推薦事先檢查并按照下列安裝指南進(jìn)行操作.

耐焊性:

將晶振加熱包裝材料至+150°C以上會(huì)破壞產(chǎn)品特性或損害產(chǎn)品.如需在+150°C以上焊接石英晶振,建議使用49S晶振產(chǎn)品.在下列回流條件下,對(duì)石英時(shí)計(jì)產(chǎn)品晶振產(chǎn)品甚至49S插件晶振使用更高溫度,會(huì)破壞晶振特性.建議使用下列配置情況的回流條件.安裝這些插件晶振之前,應(yīng)檢查焊接溫度和時(shí)間.同時(shí),在安裝條件更改的情況下,請?jiān)俅芜M(jìn)行檢查.如果需要焊接的晶振產(chǎn)品在下列配置條件下進(jìn)行焊接,請聯(lián)系我們以獲取耐熱的相關(guān)信息.

激勵(lì)功率

在晶振上施加過多驅(qū)動(dòng)力,會(huì)導(dǎo)致產(chǎn)品特性受到損害或破壞.電路設(shè)計(jì)必須能夠維持適當(dāng)?shù)募?lì)功率（請參閱“激勵(lì)功率”章節(jié)內(nèi)容）.

負(fù)極電阻

除非石英晶體振蕩器回路中分配足夠多的負(fù)極電阻,否則振蕩或振蕩啟動(dòng)時(shí)間可能會(huì)增加（請參閱“關(guān)于振蕩”章節(jié)內(nèi)容）.

負(fù)載電容

有源晶振振蕩電路中負(fù)載電容的不同,可能導(dǎo)致振蕩頻率與設(shè)計(jì)頻率之間產(chǎn)生偏差.試圖通過強(qiáng)力調(diào)整,可能只會(huì)導(dǎo)致不正常的振蕩.在使用之前,請指明該振動(dòng)電路的負(fù)載電容（請參閱“負(fù)載電容”章節(jié)內(nèi)容）.

ATS060 ATS晶振兆赫茲晶振

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