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微晶晶振,32.768K晶振,CM9V-T1A壓電石英晶體

頻率：32.768KHZ

尺寸：1.6*1.0*0.5mm

普通石英晶振,外觀完全使用金屬材料封裝的,產(chǎn)品本身采用全自動石英晶體檢測儀,以及跌落,漏氣等苛刻實驗.產(chǎn)品本身具有高穩(wěn)定性,高可靠性的石英晶體諧振器,焊接方面支持表面貼裝,外觀采用金屬封裝,具有充分的密封性能,晶振本身能確保其高可靠性,采用編帶包裝,可對應(yīng)產(chǎn)品應(yīng)用到自動貼片機告訴安裝,滿足無鉛焊接的高溫回流溫度曲線要求.

訂購熱線：86-0755-27838351

微晶晶振,32.768K晶振,CM9V-T1A壓電石英晶體.32.768K系列具有超小型,薄型,質(zhì)地輕的表面貼片音叉型石英晶體諧振器,晶振產(chǎn)品本身具備優(yōu)良的耐熱性,耐環(huán)境特性,在辦公自動化,家電領(lǐng)域,移動通信領(lǐng)域可發(fā)揮優(yōu)良的電氣特性,符合無鉛標(biāo)準,滿足無鉛焊接的回流溫度曲線要求,金屬外殼的石英晶振使得產(chǎn)品在封裝時能發(fā)揮比陶瓷晶振外殼更好的耐沖擊性能.

微晶在瑞士、泰國建有生產(chǎn)中心,及遍布世界各地的代表處.我們所有的無源晶振產(chǎn)品都得到ISO9001和ISO14001的認證,并達到RoHS,REACh等規(guī)范的要求.全球約550個員工的責(zé)任感和奉獻精神是我們成功的基石.我們對管理、環(huán)境、社會責(zé)任都有明確的行為準則（比如對有爭議的原材料的問題上）,這些是我們在未來保持競爭優(yōu)勢的主要原因.

石英晶振多層、多金屬的濺射鍍膜技術(shù):是目前研發(fā)及生產(chǎn)高精度、高穩(wěn)定性石英晶體元器件——石英晶振必須攻克的關(guān)鍵技術(shù)之一.石英SMD晶振該選用何鍍材、鍍幾種材料、幾種鍍材的鍍膜順序,鍍膜的工藝方法(如各鍍材的功率設(shè)計等).使用此鍍膜方法使鍍膜后的晶振附著力增強,貼片晶振頻率更加集中,能控制在最小ppm之內(nèi).

微晶晶振	單位	CM9V-T1A晶振	石英晶振基本條件
標(biāo)準頻率	f_nom	32.768KHz	標(biāo)準頻率
儲存溫度	T_stg	-55°C ～ +125°C	裸存
工作溫度	T_use	-40°C ～+85°C	標(biāo)準溫度
激勵功率	DL	1.0μW Max.	推薦:10μW
頻率公差	f_— l	± 20ppm ±100ppm	+25°C 對于超出標(biāo)準的規(guī)格說明, 請聯(lián)系我們以便獲取相關(guān)的信息,http://www.mtrpxt.cn/
頻率溫度特征	f_tem	30 × 10-6，±50 × 10-6	超出標(biāo)準的規(guī)格請聯(lián)系我們.
負載電容	CL	4.0pF 6.0pF 7.0pF 9.0pF 12.5pF	不同負載要求,請聯(lián)系我們.
串聯(lián)電阻(ESR)	R1	如下表所示	-40°C — +85°C, DL = 100μW
頻率老化	f_age	±3× 10-6/year Max.	+25°C,第一年

CM9V-T1A 1610

通電

不建議從中間電位和/或極快速通電,否則會導(dǎo)致有源晶體無法產(chǎn)生振蕩和/或非正常工作.

清洗

關(guān)于一般清洗液的使用以及超聲波清洗沒有問題,但這僅僅是對單個石英1.6x1.0晶振產(chǎn)品進行試驗所得的結(jié)果,因此請根據(jù)實際使用狀態(tài)進行確認.

由于音叉型晶體諧振器的頻率范圍和超聲波清洗機的清洗頻率很近,容易受到共振破壞,因此請盡可能避免超聲波清洗.

若要進行超聲波清洗,必須事先根據(jù)實際使用狀態(tài)進行確認.

撞擊

雖然石英晶體諧振器產(chǎn)品在設(shè)計階段已經(jīng)考慮到其耐撞擊性,但如果掉到地板上或者受到過度的撞擊,以防萬一還是要檢查特性后再使用.

保管

保管在高溫多濕的場所可能會導(dǎo)致端子軟焊性的老化.

請在沒有直射陽光,不發(fā)生結(jié)露的場所保管.

安裝方向

進口晶體振蕩器的不正確安裝會導(dǎo)致故障以及崩潰,因此安裝時,請檢查安裝方向是否正確.

熱影響

重復(fù)的溫度巨大變化可能會降低受損害的耐高溫晶振的產(chǎn)品特性,并導(dǎo)致塑料封裝里的線路擊穿.必須避免這種情況.

CM9V-T1A-32.768kHz-7pF-100PPM-TA-QC晶振微晶無源晶振 CM9V-T1A石英晶振

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