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ILSI晶振,32.768K晶振,IL3W壓電石英晶體

頻率：32.768KHZ

尺寸：1.6*1.0*0.5mm

貼片晶振本身體積小,超薄型石英晶體諧振器,特別適用于有目前高速發展的高端電子數碼產品,因為晶振本身小型化需求的市場領域,小型?薄型是對應陶瓷諧振器(偏差大)和普通的石英晶體諧振器(偏差小)的中間領域的一種性價比較出色的產品.產品廣泛用于筆記本電腦,無線電話,衛星導航HDD,SSD,USB,Blu-ray等用途,符合無鉛焊接的高溫回流焊曲線特性.

訂購熱線：86-0755-27838351

ILSI晶振,32.768K晶振,IL3W壓電石英晶體.智能手機晶振,產品具有高精度超小型的表面貼片型石英晶體振蕩器,最適用于移動通信終端的基準時鐘等移動通信領域.比如智能手機,無線通信,衛星導航,平臺基站等較高端的數碼產品,晶振本身小型,薄型具備各類移動通信的基準時鐘源用頻率,貼片晶振具有優良的電氣特性,耐環境性能適用于移動通信領域,滿足無鉛焊接的高溫回流溫度曲線要求.

ILSI America成立于1987年,其使命是成為世界級的ILSI晶振供應商.頻率控制產品.通過有機增長和戰略收購,美國ILSI 現在是廣泛設計,制造和供應的全球領導者,涵蓋四個品牌的組件:ILSI,MMD,Ecliptek和Oscilent.美國ILSI滿足廣泛的要求,滿足OEM和CEM的嚴格標準.通過以下產品在許多垂直市場的客戶:壓電石英晶體,晶體振蕩器,MEMS振蕩器,TCXO,VCXO,OCXO,濾波器和諧振器.

石英晶振曲率半徑加工技術:石英晶振晶片在球筒倒邊加工時應用到的加工技術,主要是研究滿足不同曲率半徑石英無源晶振晶片設計可使用的方法.如:1、是指球面加工曲率半徑的工藝設計(a、球面的余弦磨量;b、球面的均勻磨量;c、球面加工曲率半徑的配合)2、在加工時球面測量標準的設計原則(曲率半徑公式的計算)

ILSI晶振	單位	IL3W晶振	石英晶振基本條件
標準頻率	f_nom	32.768KHZ	標準頻率
儲存溫度	T_stg	-55°C~+125°C	裸存
工作溫度	T_use	-40℃~+85℃	標準溫度
激勵功率	DL	1.0μW Max.	推薦:10μW
頻率公差	f_— l	±20ppm	+25°C 對于超出標準的規格說明, 請聯系我們以便獲取相關的信息,http://www.mtrpxt.cn/
頻率溫度特征	f_tem	30 × 10-6，±50 × 10-6	超出標準的規格請聯系我們.
負載電容	CL	7.0pF 9.0pF 12.5pF	不同負載要求,請聯系我們.
串聯電阻(ESR)	R1	如下表所示	-40°C — +85°C, DL = 100μW
頻率老化	f_age	±3× 10-6/year Max.	+25°C,第一年

IL3W 1610

負載電容

振蕩電路中負載電容的不同,可能導致振蕩頻率與設計頻率之間產生偏差.試圖通過強力調整,可能只會導致不正常的振蕩.在使用之前,請指明該振動電路的負載電容(請參閱“負載電容”章節內容).

晶體振蕩器和實時時鐘模塊

所有石英晶體振蕩器和實時時鐘模塊都以IC形式提供.

存儲事項

(1)在更高或更低溫度或高濕度環境下長時間保存進口高精度石英晶振產品時,會影響頻率穩定性或焊接性.請在正常溫度和濕度環境下保存這些晶體產品,并在開封后盡可能進行安裝,以免長期儲藏.正常溫度和濕度:溫度:+15°C至+35°C,濕度25%RH至85%RH(請參閱“測試點JISC60068-1/IEC60068-1的標準條件”章節內容).

(2)請仔細處理內外盒與卷帶.外部壓力會導致卷帶受到損壞.

耐焊性

加熱包裝材料至+150°C以上會破壞產品特性或損害諧振器.如需在+150°C以上焊接晶體產品,建議使用SMD晶體.在下列回流條件下,對晶體產品甚至1.6x1.0晶振使用更高溫度,會破壞產品特性.建議使用下列配置情況的回流條件.安裝這些產品之前,應檢查焊接溫度和時間.同時,在安裝條件更改的情況下,請再次進行檢查.如果需要焊接的晶體產品在下列配置條件下進行焊接,請聯系我們以獲取耐熱的相關信息.

自動安裝時的沖擊

自動安裝和真空化引發的沖擊會破壞產品特性并影響這些進口晶體振蕩器.請設置安裝條件以盡可能將沖擊降至最低,并確保在安裝前未對產品特性產生影響.條件改變時,請重新檢查安裝條件.同時,在安裝前后,請確保石英32.768K晶振未撞擊機器或其他電路板等.

IL3W晶振艾爾西無源晶振石英晶體諧振器

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