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康華爾電子有限公司——晶振行業(yè)進(jìn)口晶振品牌代理商

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晶振帝國(guó)
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QuartzCom晶振,高精度石英晶振,SMX-1S晶振

頻率:8.000MHz~250.000MHz

尺寸:7.0*5.0*1.3mm

普通貼片石英晶振外觀使用金屬材料封裝的,具有高穩(wěn)定性,高可靠性的石英晶體諧振器,晶振外觀本身使用金屬封裝,充分的密封性能,可確保其高可靠性,采用編帶包裝,外包裝采用朔膠盤,可在自動(dòng)貼片機(jī)上對(duì)應(yīng)自動(dòng)貼裝等優(yōu)勢(shì).

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QuartzCom晶振,高精度石英晶振,SMX-1S晶振.貼片晶振本身體積小,超薄型石英晶體諧振器,特別適用于有目前高速發(fā)展的高端電子數(shù)碼產(chǎn)品,因?yàn)榫д癖旧硇⌒突枨蟮氖袌?chǎng)領(lǐng)域,小型?薄型是對(duì)應(yīng)陶瓷諧振器(偏差大)和普通的石英晶體諧振器(偏差小)的中間領(lǐng)域的一種性價(jià)比較出色的產(chǎn)品.產(chǎn)品廣泛用于筆記本電腦,無(wú)線電話,衛(wèi)星導(dǎo)航HDD,SSD,USB,Blu-ray等用途,符合無(wú)鉛焊接的高溫回流焊曲線特性.

1998創(chuàng)立美國(guó)QuartzCom,1999年將供應(yīng)商和分包商網(wǎng)絡(luò)擴(kuò)展到18個(gè)晶振廠家,2000創(chuàng)立QuartzCom Asia(日本).產(chǎn)品組合:壓電組件,例如晶體單元,石英振蕩器(XO,VCXO,TCXO,VC-TCXO,OCXO),濾波器(石英,SAW和陶瓷),傳感器和壓控振蕩器(VCO);提供SMD和帶引線的封裝,尺寸從最小的1.6 x 2.0 mm晶體單元到50 x 50 mm的DOCXO,提供的頻率范圍為32.768 kHz至5 GHz.

晶振的真空封裝技術(shù):是指石英SMD晶振在真空封裝區(qū)域內(nèi)進(jìn)行封裝.1.防止外界氣體進(jìn)入組件體內(nèi)受到污染和增加應(yīng)力的產(chǎn)生;2.使晶振組件在真空下電阻減小;3.氣密性高.此技術(shù)為研發(fā)及生產(chǎn)超小型、超薄型石英晶振必須攻克的關(guān)鍵技術(shù)之一.

2

QuartzCom晶振

單位

SMX-1S晶振

石英晶振基本條件

標(biāo)準(zhǔn)頻率

f_nom

8.000MHz~250.000MHz

標(biāo)準(zhǔn)頻率

儲(chǔ)存溫度

T_stg

-55℃~+125

裸存

工作溫度

T_use

-20℃~+70℃

-40℃~+85℃

-40℃~+125℃

標(biāo)準(zhǔn)溫度

激勵(lì)功率

DL

1.0μW Max.

推薦:10μW

頻率公差

f_— l

±5ppm~±30ppm

+25°C 對(duì)于超出標(biāo)準(zhǔn)的規(guī)格說(shuō)明,
請(qǐng)聯(lián)系我們以便獲取相關(guān)的信息,http://www.mtrpxt.cn/

頻率溫度特征

f_tem

30 × 10-6,±50 × 10-6

超出標(biāo)準(zhǔn)的規(guī)格請(qǐng)聯(lián)系我們.

負(fù)載電容

CL

8~32pF

不同負(fù)載要求,請(qǐng)聯(lián)系我們.

串聯(lián)電阻(ESR)

R1

如下表所示

-40°C —  +85°C, DL = 100μW

頻率老化

f_age

±3× 10-6/year Max.

+25°C,第一年

3

SMX-1S 7050

4

電源線路

電源的線路阻抗應(yīng)盡可能低.

輸出負(fù)載

建議將輸出負(fù)載安裝在盡可能靠近石英晶體振蕩器的地方(在20mm范圍之間).

未用輸入終端的處理

未用針腳可能會(huì)引起噪聲響應(yīng),從而導(dǎo)致非正常工作.同時(shí),當(dāng)P通道和N通道都處于打開(kāi)時(shí),電源功率消耗也會(huì)增加;因此,請(qǐng)將未用輸入終端連接到VCC或GND.

負(fù)極電阻

除非振蕩回路中分配足夠多的負(fù)極電阻,否則振蕩或振蕩啟動(dòng)時(shí)間可能會(huì)增加(請(qǐng)參閱“關(guān)于振蕩”章節(jié)內(nèi)容).

激勵(lì)功率

在晶體單元上施加過(guò)多驅(qū)動(dòng)力,會(huì)導(dǎo)致耐撞擊晶振特性受到損害或破壞.電路設(shè)計(jì)必須能夠維持適當(dāng)?shù)募?lì)功率(請(qǐng)參閱“激勵(lì)功率”章節(jié)內(nèi)容).

負(fù)載電容

振蕩電路中負(fù)載電容的不同,可能導(dǎo)致振蕩頻率與設(shè)計(jì)頻率之間產(chǎn)生偏差.試圖通過(guò)強(qiáng)力調(diào)整,可能只會(huì)導(dǎo)致不正常的振蕩.在使用之前,請(qǐng)指明該振動(dòng)電路的負(fù)載電容(請(qǐng)參閱“負(fù)載電容”章節(jié)內(nèi)容).

熱影響

重復(fù)的溫度巨大變化可能會(huì)降低受損害的7050晶振的產(chǎn)品特性,并導(dǎo)致塑料封裝里的線路擊穿.必須避免這種情況.

SMX-1S

5

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