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微晶晶振,壓控晶體振蕩器,VCXO2E晶振

頻率：5.000MHz~40.000MHz

尺寸：5.0*3.2*1.6mm

有源晶振,是只晶體本身起振需要外部電壓供應,起振后可直接驅動CMOS集成電路,產品本身已實現與薄型IC(TSSOP封裝,TVSOP封裝)同樣的1mm厚度,斷開時的消費電流是15µA以下,編帶包裝方式可對應自動搭載及IR回流焊接(無鉛對應)產品有幾種電壓供選1.8V,2.5V,3V3.3V,5V,以應對不同IC產品需要.

訂購熱線：86-0755-27838351

微晶晶振,壓控晶體振蕩器,VCXO2E晶振.貼片式石英晶體振蕩器,低電壓啟動功率,并且有多種電壓供選擇,比如有1.8V,2.5V,3.3V,3.8V,5V等,產品被廣泛應用于,平板筆記本,GPS系統,光纖通道,千兆以太網,串行ATA,串行連接SCSI,PCI-Express的SDH/SONET發射基站等領域.符合RoHS/無鉛.

而今,微晶已經發展成為一家在微型音叉式石英晶體(32kHz ~ 250MHz)、實時時鐘模塊、低電流電壓晶振和OCXO等多個領域的領導供貨商,為世界一流的終端產品制造商提供從設計到量產的全方位支持,服務范圍涵蓋手機、計算機、汽車電子、手表、工業控制、植入式醫療及其他高可靠性產品.

有源晶振高頻振蕩器使用IC與晶片設計匹配技術:有源晶振是高頻振蕩器研發及生產過程必須要解決的技術難題.在設計過程中除了要考慮石英晶體諧振器具有的電性外,還有石英晶體振蕩器的電極設計等其它的特殊性,必須考慮石英晶體振蕩器的供應電壓、起動電壓和產品上升時間、下降時間等相關參數.

微晶晶振	VCXO2E晶振
輸出類型	HC-MOS compatible
輸出負載	3pF、47pF
振蕩模式	基本/第三泛音
電源電壓	0~+3.3V
頻率范圍	5.00MHz~40.00MHz
頻率穩定度	±30ppm ±50ppm ±90ppm ±110ppm ±130ppm
工作溫度	-40℃~+85℃ -55℃~+125℃ -10℃~+150℃ -10℃~+175℃ -10℃~+210℃
保存溫度	-65℃~+125℃
電壓卷（最大值）/ VOH（最小值）	0.1 VDD / 0.9 VDD
啟動時間	5 ms Max
相位抖動（12兆赫~20兆赫）	1個PS最大
老化率	±3 ppm /年最大

VCXO2E 5032 VCXO

電源線路

電源的線路阻抗應盡可能低.

輸出負載

建議將輸出負載安裝在盡可能靠近石英晶體振蕩器的地方(在20mm范圍之間).

未用輸入終端的處理

未用針腳可能會引起噪聲響應,從而導致非正常工作.同時,當P通道和N通道都處于打開時,電源功率消耗也會增加；因此,請將未用輸入終端連接到VCC或GND.

激勵功率

在晶體單元上施加過多驅動力,會導致石英低損耗晶振特性受到損害或破壞.電路設計必須能夠維持適當的激勵功率(請參閱“激勵功率”章節內容).

負極電阻

除非振蕩回路中分配足夠多的負極電阻,否則振蕩或振蕩啟動時間可能會增加(請參閱“關于振蕩”章節內容)

負載電容

振蕩電路中負載電容的不同,可能導致振蕩頻率與設計頻率之間產生偏差.試圖通過強力調整,可能只會導致不正常的振蕩.在使用之前,請指明該振動電路的負載電容(請參閱“負載電容”章節內容).

晶體振蕩器和實時時鐘模塊

所有石英晶體壓控控制振蕩器和實時時鐘模塊都以IC形式提供.

噪音

在電源或輸入端上施加執行級別(過高)的不相干(外部的)噪音,可能導致會引發功能失常或擊穿的閉門或雜散現象.

VCXO2E

VCXO2E晶振進口VCXO晶振有源壓控晶體振蕩器

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