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SIWARD晶振,貼片晶振,SX-5032晶振

頻率：8~100MHZ

尺寸：5.0×3.2×0.7mm

小型表面貼片晶振型,是標準的石英晶體諧振器,適用于寬溫范圍的電子數碼產品,家電電器及MP3,MP4,播放器,單片機等領域.可對應8.000MHz以上的頻率,在電子數碼產品,以及家電相關電器領域里面發(fā)揮優(yōu)良的電氣特性,滿足無鉛焊接的回流溫度曲線要求.

訂購熱線：86-0755-27838351

希華科技藉由臺灣、日本、大陸三地的產品設計開發(fā)與制程資源整合，不斷開發(fā)創(chuàng)新及制程改造，以全系列完整產品線，來滿足客戶對石英元件多樣化的需求。積極地透過產學合作與配合國外技術引進開發(fā)新產品，多角化經營、擴大市場領域，此亦為公司得以永續(xù)經營的方針。

敏銳地掌握電子產品輕薄短小化、快速光電寬頻傳輸與高頻通訊的發(fā)展主流，致力于開發(fā)小型化、高頻與光電領域等產品，與日本同業(yè)并駕齊驅。且深耕微機電(MEMS)技術領域，加速導入小體積貼片晶振的量產，藉以擴大公司營收規(guī)模并且提升獲利空間。

SIWARD晶振,貼片晶振,SX-5032晶振,低頻晶振可從8MHz起對應,小型,超薄型具備強防焊裂性,石英晶體在極端嚴酷的環(huán)境條件下也能發(fā)揮穩(wěn)定的起振特性,產品本身具有耐熱,耐振,耐撞擊等優(yōu)良的耐環(huán)境特性,滿足無鉛焊接以及高溫回流溫度曲線要求,符合AEC-Q200標準.

晶振的真空封裝技術：是指壓電石英晶振在真空封裝區(qū)域內進行封裝。1.防止外界氣體進入組件體內受到污染和增加應力的產生；2.使晶振組件在真空下電阻減小；3.氣密性高。此技術為研發(fā)及生產超小型、超薄型石英晶振必須攻克的關鍵技術之一

希華晶振規(guī)格	單位	SX-5032貼片晶振頻率范圍	石英晶振基本條件
標準頻率	f_nom	8MHZ~100.0MHZ	標準頻率
儲存溫度	T_stg	-40°C ～ +125°C	裸存
工作溫度	T_use	-30°C ～ +85°C	標準溫度
激勵功率	DL	200μW Max.	推薦:1μW ～ 100μW
頻率公差	f_— l	±50 × 10-6 (標準), (±15 × 10-6 ～ ±50 × 10-6 可用)	+25°C 對于超出標準的規(guī)格說明, 請聯系我們以便獲取相關的信息,http://www.mtrpxt.cn/
頻率溫度特征	f_tem	±30 × 10-6/-20°C ～ +70°C	超出標準的規(guī)格請聯系我們.
負載電容	CL	8pF ,10PF,12PF,20PF	超出標準說明,請聯系我們.
串聯電阻(ESR)	R1	如下表所示	-40°C—+85°C, DL = 100μW
頻率老化	f_age	±5 × 10-6 / year Max.	+25°C,第一年

SX-5032 5032

以下是石英晶振電路設計匹配問題：

一般來說，微處理器的振蕩電路由考畢茲電路顯示派生如下：

鎘和CG是外部負載電容，其中已建成的芯片組。（請參閱芯片組的規(guī)格）

Rf為具有200KΩ?1MΩ反饋電阻。它的內置芯片一般設置。

Rd為限流電阻470Ω與1KΩ?。這個阻力是沒有必要的公共電路，但僅用于具有高電源電路。

一個穩(wěn)定的石英晶體振蕩器電路需要的負電阻，其值應是晶振阻力的至少五倍。它可寫為|-R|>5的Rr。

例如，為了獲得穩(wěn)定的振蕩電路中，IC的負電阻的值必須小于？200Ω時的晶振電阻值是40Ω。負阻“的標準來評估一個振蕩電路的質量。在某些情況下，例如老化，熱變化，電壓變化，以及等等，電路可能不會產生振蕩的“Q”值是低的。因此，這是非常重要的衡量負電阻（-R）以下說明：

線路連接的電阻（R）與晶體串聯

（2）從起點到振蕩的停止點調整R的值。

（3）振蕩期間測量R的值。

（4）你將能夠獲得負電阻的值，|•R|= R +的Rr，和RR =晶振的阻力。

附：所連接的電路的雜散電容，可能會影響測定值。SIWARD晶振,貼片晶振,SX-5032晶振

12MHZ貼片晶振,XV晶振,XVFBGCNANF-12.000000晶振

SX-5032晶振醫(yī)療電子晶振金屬面5032貼片晶振

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