86-0755-27838351
康華爾電子成立至今已有20多年,是國內(nèi)數(shù)一數(shù)二的晶振廠家0755-27838351,專業(yè)研發(fā)生產(chǎn)銷售石英晶振,32.768K晶振,石英晶體諧振器,貼片晶振,SAW濾波器等.采用無鉛環(huán)保材料生產(chǎn),具有精度穩(wěn)定,小體積,重量輕等特點.國產(chǎn)晶振就選康華爾電子,質(zhì)量好,精度高,價格優(yōu)勢.
康華爾電子多年來在競爭激烈的市場中,以技術(shù)占領(lǐng)市場,以質(zhì)量贏得客戶,是國內(nèi)口碑極高的晶振供應(yīng)商.并且憑借自身的努力代理臺灣進口晶振多個品牌,TXC晶振,鴻星晶振,加高晶振,亞陶晶振等.康華爾電子所提供的臺產(chǎn)晶振,均符合德國ROHS環(huán)保指令,具有高質(zhì)量,高可靠使用特性,咨詢選購熱線0755-27838351.
日本進口晶振在國內(nèi)口碑一流,高端智能產(chǎn)品使用晶振大都會選擇日產(chǎn)晶振作為首選.康華爾電子憑借自身的努力同時代理KDS晶振,愛普生晶振,精工晶體,京瓷晶振等品牌.所代理石英晶振,石英晶體振蕩器,貼片晶體均符合歐盟ROHS環(huán)保要求,具有高精度,高品質(zhì),低插損,耐高溫等特點.
康華爾電子是國內(nèi)優(yōu)秀的歐美進口晶振供貨商0755-27838351,多年來憑借自身的努力,獲得CTS晶振,FOX晶振,Sitime晶振,瑞康晶振等代理權(quán)限.所代理進口晶振,歐美晶振均符合歐盟ROHS環(huán)保指令,并且獲得ISO國際質(zhì)量管理體系認證.市場常用進口晶振封裝型號康華爾電子均有備貨,可免費提供現(xiàn)貨樣品以及晶振技術(shù)解決方案.
32.768K是晶振頻率中最容易讓人記住的數(shù)字,32.768K晶振素來有時鐘晶振的稱謂,只要跟數(shù)字顯示以及時間相關(guān)的產(chǎn)品都少不了一款32.768K晶振.根據(jù)不同的產(chǎn)品需求主要分為圓柱晶振和32.768K貼片晶振.常見封裝有2x6,3x8,7.0x1.5,3.2x1.5,2.0x1.2等體積.康華爾電子提供各種32.768K晶振,音叉表晶,價格優(yōu)質(zhì),咨詢熱線0755-27838351.
有源晶振是一款自身帶有電源電壓功能的石英晶體振蕩器,并且有多種電壓供選擇,比如有1.8V,2.5V,3.3V,3.8V,5V等高速自動安裝和高溫回流焊設(shè)計,Optionable待機輸出三態(tài)輸出功能,電源電壓范圍：1.8V~5 V,高穩(wěn)定性,低抖動,低功耗,主要應(yīng)用領(lǐng)域:無線通訊,高端智能手機,平板筆記本W(wǎng)LAN,藍牙,數(shù)碼相機,DSL和其他IT產(chǎn)品的晶振應(yīng)用,三態(tài)功能,PC和LCDM等高端數(shù)碼領(lǐng)域,符合RoHS/無鉛.
頻率：156.25MHZ
尺寸：7.00mmx5.00mm
Silicon晶體振蕩器\530EC156M250DG\Si530歐美晶體\6G無線網(wǎng)絡(luò)晶振，尺寸7.00mmx5.00mm，頻率156.25MHZ，支持輸出LVPECL，XO時鐘振蕩器（標準），電壓 2.5V，腳位6-SMD，六腳貼片晶振，有源晶振，有源貼片晶振，LVPECL輸出晶振，差分晶振LV-PECL，貼片差分晶振，差分晶體振蕩器，低電壓差分晶振，低功耗差分晶振，低相位差分晶振，低抖動差分晶振，網(wǎng)絡(luò)應(yīng)用差分晶振，高清視頻差分晶振，測試測量專用差分晶振，具有低抖動低電壓的特點，產(chǎn)品十分適合用于SONET/SDH，網(wǎng)絡(luò) 標清/高清視頻，測試和測量，時鐘和數(shù)據(jù)恢復，F(xiàn)PGA/ASIC時鐘生成等領(lǐng)域。
基于Si530/531 IC的XO有源晶體振蕩器可在工廠進行配置對于包括頻率、電源電壓、電源電壓等的各種各樣的用戶規(guī)范，輸出格式和溫度穩(wěn)定性。具體配置為出廠配置在裝運時進行編程，從而消除長交付周期與定制振蕩器相關(guān)。Silicon晶體振蕩器\530EC156M250DG\Si530歐美晶體\6G無線網(wǎng)絡(luò)晶振.
Silicon晶體振蕩器\530EC156M250DG\Si530歐美晶體\6G無線網(wǎng)絡(luò)晶振，尺寸7.00mmx5.00mm，頻率156.25MHZ，支持輸出LVPECL，XO時鐘振蕩器（標準），電壓 2.5V，腳位6-SMD，六腳貼片晶振，有源晶振，有源貼片晶振，LVPECL輸出晶振，差分晶振LV-PECL，貼片差分晶振，差分晶體振蕩器，低電壓差分晶振，低功耗差分晶振，低相位差分晶振，低抖動差分晶振，網(wǎng)絡(luò)應(yīng)用差分晶振，高清視頻差分晶振，測試測量專用差分晶振，具有低抖動低電壓的特點，產(chǎn)品十分適合用于SONET/SDH，網(wǎng)絡(luò) 標清/高清視頻，測試和測量，時鐘和數(shù)據(jù)恢復，F(xiàn)PGA/ASIC時鐘生成等領(lǐng)域。
基于Si530/531 IC的XO有源晶體振蕩器可在工廠進行配置對于包括頻率、電源電壓、電源電壓等的各種各樣的用戶規(guī)范，輸出格式和溫度穩(wěn)定性。具體配置為出廠配置在裝運時進行編程，從而消除長交付周期與定制振蕩器相關(guān)。Silicon晶體振蕩器\530EC156M250DG\Si530歐美晶體\6G無線網(wǎng)絡(luò)晶振.
Silicon晶體振蕩器\530EC156M250DG\Si530歐美晶體\6G無線網(wǎng)絡(luò)晶振 參數(shù)表
| Parameter | Symbol | Test Condition | Min | Typ | Max | Unit | ||||||||||||||||||
| Supply Voltage1 | V DD | 3.3 V option | 2.97 | 3.3 | 3.63 | V | ||||||||||||||||||
| 2.5 V option | 2.25 | 2.5 | 2.75 | V | ||||||||||||||||||||
| 1.8 V option | 1.71 | 1.8 | 1.89 | V | ||||||||||||||||||||
| Supply Current | IDD |
Output enabled LVPECL CML LVDS CMOS |
— — — — |
111 99 90 81 |
121 108 98 88 |
mA | ||||||||||||||||||
| Tristate mode | — | 60 | 75 | mA | ||||||||||||||||||||
| Output Enable (OE)2 | VIH | 0.75 x V DD | — | — | V | |||||||||||||||||||
| VIL | — | — | 0.5 | V | ||||||||||||||||||||
| Operating Temperature Range | TA | –40 | — | 85 | ºC | |||||||||||||||||||
| Parameter | Symbol | Test Condition | Min | Typ | Max | Unit | ||||||||||||||||||
| Nominal Frequency1,2 | fO | LVPECL/LVDS/CML | 10 | — | 945 | MHz | ||||||||||||||||||
| CMOS | 10 | — | 160 | MHz | ||||||||||||||||||||
| Initial Accuracy | fi |
Measured at +25 °C at time of shipping |
— | ±1.5 | — | ppm | ||||||||||||||||||
| Temperature Stability1,3 |
–7 –20 –50 |
— |
+7 +20 +50 |
ppm | ||||||||||||||||||||
| Aging | fa | Frequency drift over first year | — | — | ±3 | ppm | ||||||||||||||||||
|
Frequency drift over 20 year life |
— | — | ±10 | ppm | ||||||||||||||||||||
| Parameter | Symbol | Test Condition | Min | Typ | Max | Unit | ||||||||||||||||||
| Total Stability | Temp stability = ±7 ppm | — | — | ±20 | ppm | |||||||||||||||||||
| Temp stability = ±20 ppm | — | — | ±31.5 | ppm | ||||||||||||||||||||
| Temp stability = ±50 ppm | ±61.5 | ppm | ||||||||||||||||||||||
| Powerup Time4 | tOSC | 10 | ms | |||||||||||||||||||||
| Parameter | Symbol | Test Condition | Min | Typ | Max | Unit | ||||||||||||||||||
| LVPECL Output Option1 | VO | mid-level | V DD – 1.42 | — | V DD – 1.25 | V | ||||||||||||||||||
| VOD | swing (diff) | 1.1 | — | 1.9 | VPP | |||||||||||||||||||
| VSE | swing (single-ended) | 0.55 | — | 0.95 | VPP | |||||||||||||||||||
| LVDS Output Option2 | VO | mid-level | 1.125 | 1.20 | 1.275 | V | ||||||||||||||||||
| VOD | swing (diff) | 0.5 | 0.7 | 0.9 | VPP | |||||||||||||||||||
| CML Output Option2 | VO | 2.5/3.3 V option mid-level | V DD – 1.30 | V | ||||||||||||||||||||
| 1.8 V option mid-level | V DD – 0.36 | V | ||||||||||||||||||||||
| VOD | 2.5/3.3 V option swing (diff) | 1.10 | 1.50 | 1.90 | VPP | |||||||||||||||||||
| 1.8 V option swing (diff) | 0.35 | 0.425 | 0.50 | VPP | ||||||||||||||||||||
| CMOS Output Option3 | V OH | I OH= 32 mA | 0.8 x V DD | V DD | V | |||||||||||||||||||
| VOL | I OL= 32 mA | 0.4 | V | |||||||||||||||||||||
| Rise/Fall time (20/80%) | tR,t F | LVPECL/LVDS/CML | 350 | ps | ||||||||||||||||||||
| CMOS with CL= 15 pF | 1 | ns | ||||||||||||||||||||||
| Symmetry (duty cycle) | SYM |
LVPECL: (diff) LVDS: CMOS: |
V DD – 1.3 V 1.25 V (diff) V DD/2 |
45 | 55 | % | ||||||||||||||||||
Silicon晶體振蕩器\530EC156M250DG\Si530歐美晶體\6G無線網(wǎng)絡(luò)晶振 尺寸圖
OSC晶振產(chǎn)品特性：
可用于任何速率的輸出
頻率從10兆赫到945兆赫
并選擇1.4 GHz的頻率
集成superior的第三代DSPLL 抖動性能
頻率穩(wěn)定性比高3倍
基于SAW的振蕩器
內(nèi)部固定晶振頻率
確保高可靠性和低老化
可用的CMOS、LVPECL、 LVDS和CML輸出 3.3、2.5和1.8 V電源選項
行業(yè)標準5 x 7毫米
封裝和引腳排列
無鉛/符合RoHS標準
更多相關(guān)美國Silicon晶振型號
歐美晶振原廠代碼
Manufacturer品牌
Series型號
Frequency 頻率
Voltage - Supply電壓
Frequency Stability頻率穩(wěn)定度
531EC155M520DG
Silicon振蕩器
Si531
155.52MHz
2.5V
±7ppm
530EC187M500DG
Silicon振蕩器
Si530
187.5MHz
2.5V
±7ppm
531AC187M500DG
Silicon振蕩器
Si531
187.5MHz
3.3V
±7ppm
531EC187M500DG
Silicon振蕩器
Si531
187.5MHz
2.5V
±7ppm
530AC000110DG
Silicon振蕩器
Si530
148.35165MHz
3.3V
±7ppm
530AC148M500DG
Silicon振蕩器
Si530
148.5MHz
3.3V
±7ppm
530EC000110DG
Silicon振蕩器
Si530
148.35165MHz
2.5V
±7ppm
530FC000110DG
Silicon振蕩器
Si530
148.35165MHz
2.5V
±7ppm
531EC000110DG
Silicon振蕩器
Si531
148.35165MHz
2.5V
±7ppm
531EC148M500DG
Silicon振蕩器
Si531
148.5MHz
2.5V
±7ppm
530BC155M520DG
Silicon振蕩器
Si530
155.52MHz
3.3V
±7ppm
530EC156M250DG
Silicon振蕩器
Si530
156.25MHz
2.5V
±7ppm
530AC187M500DG
Silicon振蕩器
Si530
187.5MHz
3.3V
±7ppm
530BC187M500DG
Silicon振蕩器
Si530
187.5MHz
3.3V
±7ppm
530FC187M500DG
Silicon振蕩器
Si530
187.5MHz
2.5V
±7ppm
530EC148M500DG
Silicon振蕩器
Si530
148.5MHz
2.5V
±7ppm
530EC200M000DG
Silicon振蕩器
Si530
200MHz
2.5V
±7ppm
531FC155M520DG
Silicon振蕩器
Si531
155.52MHz
2.5V
±7ppm
531EC156M250DG
Silicon振蕩器
Si531
156.25MHz
2.5V
±7ppm
530FC155M520DG
Silicon振蕩器
Si530
155.52MHz
2.5V
±7ppm
530BC000110DG
Silicon振蕩器
Si530
148.35165MHz
3.3V
±7ppm
530FC148M500DG
Silicon振蕩器
Si530
148.5MHz
2.5V
±7ppm
536AB125M000DG
Silicon振蕩器
Si536
125MHz
3.3V
±20ppm
535EB125M000DG
Silicon振蕩器
Si535
125MHz
2.5V
±20ppm
536EB125M000DG
Silicon振蕩器
Si536
125MHz
2.5V
±20ppm
535BB125M000DG
Silicon振蕩器
Si535
125MHz
3.3V
±20ppm
535BB156M250DG
Silicon振蕩器
Si535
156.25MHz
3.3V
±20ppm
535FB156M250DG
Silicon振蕩器
Si535
156.25MHz
2.5V
±20ppm
530EC312M500DG
Silicon振蕩器
Si530
312.5MHz
2.5V
±7ppm
530BC250M000DG
Silicon晶振
Si530
250MHz
3.3V
±7ppm
530EC311M040DG
Silicon振蕩器
Si530
311.04MHz
2.5V
±7ppm
530FC311M040DG
Silicon振蕩器
Si530
311.04MHz
2.5V
±7ppm
530FC622M080DG
Silicon振蕩器
Si530
622.08MHz
2.5V
±7ppm
531AC311M040DG
Silicon振蕩器
Si531
311.04MHz
3.3V
±7ppm
531BC311M040DG
Silicon振蕩器
Si531
311.04MHz
3.3V
±7ppm
531EC311M040DG
Silicon振蕩器
Si531
311.04MHz
2.5V
±7ppm
531EC622M080DG
Silicon振蕩器
Si531
622.08MHz
2.5V
±7ppm
531FC622M080DG
Silicon振蕩器
Si531
622.08MHz
2.5V
±7ppm
531FC311M040DG
Silicon振蕩器
Si531
311.04MHz
2.5V
±7ppm
530BC311M040DG
Silicon振蕩器
Si530
311.04MHz
3.3V
±7ppm
531BC622M080DG
Silicon振蕩器
Si531
622.08MHz
3.3V
±7ppm
531FC312M500DG
Silicon振蕩器
Si531
312.5MHz
2.5V
±7ppm
530EC622M080DG
Silicon振蕩器
Si530
622.08MHz
2.5V
±7ppm
531EC312M500DG
Silicon振蕩器
Si531
312.5MHz
2.5V
±7ppm
530BC622M080DG
Silicon振蕩器
Si530
622.08MHz
3.3V
±7ppm
531AC250M000DG
Silicon振蕩器
Si531
250MHz
3.3V
±7ppm
530AC311M040DG
Silicon振蕩器
Si530
311.04MHz
3.3V
±7ppm
530FC312M500DG
Silicon振蕩器
Si530
312.5MHz
2.5V
±7ppm
531EC250M000DG
Silicon振蕩器
Si531
250MHz
2.5V
±7ppm
530AC312M500DG
Silicon振蕩器
Si530
312.5MHz
3.3V
±7ppm
530EC250M000DG
Silicon振蕩器
Si530
250MHz
2.5V
±7ppm
530AC250M000DG
Silicon振蕩器
Si530
250MHz
3.3V
±7ppm
530FC250M000DG
Silicon振蕩器
Si530
250MHz
2.5V
±7ppm
530BC312M500DG
Silicon振蕩器
Si530
312.5MHz
3.3V
±7ppm
531BC312M500DG
Silicon振蕩器
Si531
312.5MHz
3.3V
±7ppm
530FC50M0000DG
Silicon振蕩器
Si530
50MHz
2.5V
±7ppm
535AB125M000DG
Silicon振蕩器
Si535
125MHz
3.3V
±20ppm
Si591視聽設(shè)備晶振,591BC200M000DG,思佳訊SMD差分晶振，尺寸7.0x5.0mm，頻率200MHZ，輸出邏輯LVDS，電壓3.3V，頻率穩(wěn)定性20ppm，Skyworks差分晶振，思佳訊LVDS有源振蕩器，六腳差分振蕩器，貼片差分晶振，7050mm差分晶振，有源差分振蕩器，差分晶振LVDS，差分晶體振蕩器，石英差分振蕩器，低電壓差分晶振，低耗能差分晶振，高精度差分晶振，高頻差分振蕩器，低損耗差分振蕩器，低抖動差分晶振，低功耗差分晶振，低相位差分晶振，低相噪差分晶振，視聽設(shè)備差分晶振，北斗導航差分晶振，儀器儀表差分晶振，無線模塊專用差分晶振，測試測量差分晶振，交換機差分晶振，衛(wèi)星通信專用差分晶振，具有低抖動低相位的特點。
貼片差分晶振產(chǎn)品比較適合用于視聽設(shè)備，北斗導航，儀器儀表，無線模塊，測試測量，交換機，衛(wèi)星通信等領(lǐng)域.Si591視聽設(shè)備晶振,591BC200M000DG,思佳訊SMD差分晶振.
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手機：138-2330-0879
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