国产精品免费一区二区,亚洲欧洲精品成人,性xxxxx大片免费视频

當(dāng)前位置：首頁(yè) » 歐美晶振 » Silicon晶振 » 535BB156M250DG,Si535,7050mm,156.25MHz,Silicon差分晶振

prevnext

535BB156M250DG,Si535,7050mm,156.25MHz,Silicon差分晶振

頻率：156.250MHz

尺寸：7.0x5.0mm

訂購(gòu)熱線：86-0755-27838351

535BB156M250DG,Si535,7050mm,156.25MHz,Silicon差分晶振，美國(guó)進(jìn)口晶振，Silicon品牌晶振，型號(hào)：Si535，編碼為：535BB156M250DG，頻率為：156.250MHz，電壓：3.3V，LVDS輸出差分晶振，溫度穩(wěn)定性：±20ppm，工作溫度范圍：-40℃至+85℃，小體積晶振尺寸：7.0x5.0mm封裝，六腳貼片晶振，有源晶振，石英晶振，差分晶體振蕩器。應(yīng)用程序：10/40/100G數(shù)據(jù)中心，10G以太網(wǎng)，交換機(jī)/路由器，光纖通道/SAS/存儲(chǔ)，企業(yè)服務(wù)器，網(wǎng)絡(luò)，電信，光模塊，無(wú)線網(wǎng)絡(luò)等應(yīng)用。
Si535 XO利用天空解決方案的先進(jìn)DSPLL®電路提供一個(gè)高速差分頻率的超低抖動(dòng)時(shí)鐘。與傳統(tǒng)的XO不同，每個(gè)輸出頻率都需要一個(gè)不同的晶體，而Si535石英晶振使用一個(gè)固定的晶體來(lái)提供一個(gè)大范圍的輸出頻率。這種基于集成電路的方法允許晶體諧振器提供特殊的頻率穩(wěn)定性和可靠性。此外，DSPLL時(shí)鐘合成提供了優(yōu)越的電源噪聲抑制，簡(jiǎn)化了在通信系統(tǒng)中通常發(fā)現(xiàn)的噪聲環(huán)境中產(chǎn)生低抖動(dòng)時(shí)鐘的任務(wù)。基于Si535 IC的XO在裝運(yùn)時(shí)被工廠編程，從而消除了與自定義振蕩器相關(guān)的長(zhǎng)時(shí)間的前置時(shí)間。

535BB156M250DG,Si535,7050mm,156.25MHz,Silicon差分晶振,產(chǎn)品特點(diǎn)：

可選頻率從100 MHz到312.5MHz
具有卓越抖動(dòng)性能和高功率電源噪聲抑制的第三代DSPLL®
頻率穩(wěn)定性是SAW振蕩器的3倍
可提供LVPECL和LVDS輸出有源晶振
3.3V和2.5V電源選項(xiàng)，行業(yè)標(biāo)準(zhǔn)5 x 7mm封裝和引腳
無(wú)鉛/符合RoHS

535BB156M250DG,Si535,7050mm,156.25MHz,Silicon差分晶振,參數(shù)表

Parameter

Symbol

Test Condition

Min

Typ

Max

Unit

Nominal Frequency1

LVPECL/LVDS

156.250

MHz

Initial Accuracy

Measured at +25 °C at time of
shipping

—

±1.5

—

ppm

Temperature Stability1,2

–7
–20

—
—

+7
+20

ppm

Aging

Frequency drift over first year

±3

ppm

Frequency drift over 20 year
life

—

±10

ppm

Total Stability2

Temp stability = ±20 ppm

—

±31.5

ppm

Temp stability = ±7 ppm

—

Powerup Time3

tOSC

TA = –40°C — +85°C

535BB156M250DG,Si535,7050mm,156.25MHz,Silicon差分晶振,尺寸圖

石英晶體振蕩器	品牌	型號(hào)	頻率	電壓	頻率穩(wěn)定度	包裝/封裝
535FB125M000DG	Silicon晶振	Si535	125MHz	2.5V	±20ppm	6-SMD, No Lead
SI50122-A4-GM	Silicon晶振	SI50122-A4	100MHz	2.25 V ~ 3.63 V	+100ppm	10-VFDFN
536BB156M250DG	Silicon晶振	Si536	156.25MHz	3.3V	±20ppm	6-SMD, No Lead
536FB156M250DG	Silicon晶振	Si536	156.25MHz	2.5V	±20ppm	6-SMD, No Lead
536AB156M250DG	Silicon晶振	Si536	156.25MHz	3.3V	±20ppm	6-SMD, No Lead
536EB156M250DG	Silicon晶振	Si536	156.25MHz	2.5V	±20ppm	6-SMD, No Lead
536BB125M000DG	Silicon晶振	Si536	125MHz	3.3V	±20ppm	6-SMD, No Lead
536AB125M000DG	Silicon晶振	Si536	125MHz	3.3V	±20ppm	6-SMD, No Lead
535EB125M000DG	Silicon晶振	Si535	125MHz	2.5V	±20ppm	6-SMD, No Lead
536EB125M000DG	Silicon晶振	Si536	125MHz	2.5V	±20ppm	6-SMD, No Lead
535BB125M000DG	Silicon晶振	Si535	125MHz	3.3V	±20ppm	6-SMD, No Lead
535BB156M250DG	Silicon晶振	Si535	156.25MHz	3.3V	±20ppm	6-SMD, No Lead
535FB156M250DG	Silicon晶振	Si535	156.25MHz	2.5V	±20ppm	6-SMD, No Lead
535AB125M000DG	Silicon晶振	Si535	125MHz	3.3V	±20ppm	6-SMD, No Lead
SI50122-A1-GM	Silicon晶振	SI50122-A1	100MHz	2.25 V ~ 3.63 V	+100ppm	10-VFDFN
SI50122-A2-GM	Silicon晶振	SI50122-A2	100MHz	2.25 V ~ 3.63 V	+100ppm	10-VFDFN
535AB156M250DG	Silicon晶振	Si535	156.25MHz	3.3V	±20ppm	6-SMD, No Lead
536FB125M000DG	貼片晶振	Si536	125MHz	2.5V	±20ppm	6-SMD, No Lead
535EB156M250DG	Silicon晶振	Si535	156.25MHz	2.5V	±20ppm	6-SMD, No Lead
500DLAA125M000ACF	Silicon晶振	Si500D	125MHz	2.5V	±150ppm	6-SMD, No Lead
500DLAA200M000ACF	Silicon晶振	Si500D	200MHz	2.5V	±150ppm	6-SMD, No Lead
590AB70M6560DG	Silicon晶振	Si590	70.656MHz	3.3V	±25ppm	6-SMD, No Lead
590FA200M000DG	Silicon晶振	Si590	200MHz	2.5V	±50ppm	6-SMD, No Lead
590DA156M250DG	Silicon晶振	Si590	156.25MHz	3.3V	±50ppm	6-SMD, No Lead
591BB300M000DG	Silicon晶振	Si591	300MHz	3.3V	±25ppm	6-SMD, No Lead
550CD74M2500DGR	Silicon晶振	Si550	74.25MHz	3.3V	±50ppm	6-SMD, No Lead
514GBB000118AAG	Silicon晶振	Si514	156.25MHz	2.5V	±25ppm	6-SMD, No Lead
550AE100M000DGR	Silicon晶振	Si550	100MHz	3.3V	±20ppm	6-SMD, No Lead
550AE100M000DG	Silicon晶振	Si550	100MHz	3.3V	±20ppm	6-SMD, No Lead
SI50122-A3-GM	Silicon晶振	SI50122-A3	100MHz	2.25 V ~ 3.63 V	+100ppm	10-VFDFN
SI50122-A5-GM	Silicon晶振	SI50122-A5	100MHz	2.25 V ~ 3.63 V	+100ppm	10-VFDFN
SI50122-A6-GM	Silicon晶振	SI50122-A6	100MHz	2.25 V ~ 3.63 V	+100ppm	10-VFDFN
SI50122-A1-GMR	Silicon晶振	SI50122-A1	100MHz	2.25 V ~ 3.63 V	+100ppm	10-VFDFN
SI50122-A2-GMR	Silicon晶振	SI50122-A2	100MHz	2.25 V ~ 3.63 V	+100ppm	10-VFDFN
SI50122-A3-GMR	Silicon晶振	SI50122-A3	100MHz	2.25 V ~ 3.63 V	+100ppm	10-VFDFN
SI50122-A4-GMR	Silicon晶振	SI50122-A4	100MHz	2.25 V ~ 3.63 V	+100ppm	10-VFDFN
SI50122-A5-GMR	Silicon晶振	SI50122-A5	100MHz	2.25 V ~ 3.63 V	+100ppm	10-VFDFN
SI50122-A6-GMR	Silicon晶振	SI50122-A6	100MHz	2.25 V ~ 3.63 V	+100ppm	10-VFDFN

535BB156M250DG Si535 7050mm 156.25MHz Silicon差分晶振

采購(gòu)：535BB156M250DG,Si535,7050mm,156.25MHz,Silicon差分晶振

*聯(lián)系人：
*手機(jī)：
公司名稱：
郵箱：
電話：
地址：
*采購(gòu)意向：
*驗(yàn)證碼：

跟此產(chǎn)品相關(guān)的產(chǎn)品 / Related Products

: 1XSE012000AR58,日本KDS晶振,3225有源貼片,DSO321SR,汽車(chē)多媒體設(shè)備晶振; 1XSE012000AR58,日本KDS晶振,3225有源貼片,DSO321SR,汽車(chē)多媒體設(shè)備晶振，3225石英晶體振蕩器被認(rèn)為是最適合在汽車(chē)電子上的產(chǎn)品，3225貼片晶振在極端嚴(yán)酷的環(huán)境條件下也能發(fā)揮穩(wěn)定的起振特性，本身具有耐熱，耐振，耐沖擊等優(yōu)良的耐環(huán)境特性。日本KDS晶振生產(chǎn)的DSO321SR系列為3225尺寸，低電流消耗：最大 8mA （167MHz， 3.3V）；電源電壓：1.8V/2.5V/2.8V/3.0V/3.3V；提供窄偏差： ±20ppm/±30ppm/±50ppm/±100ppm；通過(guò)使用 AT cut 基波諧振器，可提供高達(dá) 167MHz 的頻譜，低抖動(dòng)提供高性能；扁平：1.1mm；符合 AEC-Q200 標(biāo)準(zhǔn)（選項(xiàng)：相當(dāng)于 AEC-Q100）；CMOS 電平輸出。1XSE012000AR58晶振頻率是12.000MHz，為汽車(chē)電子晶振，多應(yīng)用于PC、游戲設(shè)備；DSC、DVD、藍(lán)光、HDTV、DVC、HDD；WiMAX 系列；攝像頭模塊；Gb以太網(wǎng)；汽車(chē)多媒體設(shè)備。

: VCXO-7A晶振,VCXO壓控晶振,進(jìn)口有源晶振,CORE晶振; VCXO-7A晶振,VCXO壓控晶振,進(jìn)口有源晶振,CORE晶振，高品質(zhì)石英晶振，SMD貼片晶體，進(jìn)口壓控振蕩器，CMOS輸出晶振，四腳貼片晶振，編碼型號(hào)為：VCXO-7A，頻率：40 MHz，頻率穩(wěn)定為：±30ppm，電源電壓為：5V，工作溫度范圍：-10℃至+60℃，晶振體積尺寸為：7.0x5.0mm，進(jìn)口貼片晶振，小型石英晶體振蕩器，科爾晶振，有源晶體振蕩器，貼片石英晶振，低抖動(dòng)有源晶振，低相噪相控石英晶體，四腳SMD金屬面貼片晶振，具備高可靠的環(huán)保性能，符合ROHS標(biāo)準(zhǔn)，產(chǎn)品被廣泛應(yīng)用于筆記本電腦晶振，數(shù)碼相機(jī)晶振等產(chǎn)品。

: AGTCO-ST5032晶體,ARGO電子,溫補(bǔ)石英晶振,有源晶體振蕩器; AGTCO-ST5032晶體,ARGO電子,溫補(bǔ)石英晶振,有源晶體振蕩器，有源晶振，高品質(zhì)石英晶振，溫補(bǔ)補(bǔ)償晶體振蕩器，四腳貼片晶振，編碼為： AGTCO-ST5032，頻率：10MHz，頻率公差性：±0.5ppm，電源電壓為：3.3V，工作溫度范圍：-30℃至+85℃，小體積晶振尺寸：5.0x3.2mm，HCMOS輸出晶體，SMD貼片晶振，有源晶體振蕩器，該晶振產(chǎn)品為5032mm體積的溫補(bǔ)晶振(TCXO)產(chǎn)品本身帶溫度補(bǔ)償作用的晶體振蕩器，最適合于GPS,以及衛(wèi)星通訊系統(tǒng)和智能電話等多用途的高穩(wěn)定的頻率溫度特性晶振。