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TAITIEN晶振,貼片晶振,XV晶振,XVFBGCNANF-12.000000晶振

頻率：8~80MHZ

尺寸：5.0×3.2×0.8mm

小型貼片石英晶振,外觀尺寸具有薄型表面貼片型車載晶振,特別適用于有小型化要求的市場領域,比如智能手機,無線藍牙,平板電腦等電子數碼產品.

訂購熱線：86-0755-27838351

泰藝晶振電子立基臺灣，在美國與中國大陸均設有生產據點，營業與銷售據點包括臺灣臺北、美國、歐洲以及中國大陸等地，客戶使用石英晶體振蕩器，有源晶振,網絡設備晶振、壓控振蕩器,貼片晶振遍及汽車產業、消費性電子、信息產業、通信產業與通信基礎產業。泰藝晶振電子多年來致力于研發創新，部分核心技術是臺灣業界的領先者，近年來陸續取得石英相關制造技術專利；未來將持續加強開發，以成為全球石英晶振頻控元件領導者之目標邁進。

TAITIEN晶振,貼片晶振,XV晶振,XVFBGCNANF-12.000000晶振,低頻晶振可從7.98MHz起對應,小型,超薄型具備強防焊裂性,石英晶體在極端嚴酷的環境條件下也能發揮穩定的起振特性,產品本身具有耐熱,耐振,耐撞擊等優良的耐環境特性,滿足無鉛焊接以及高溫回流溫度曲線要求,符合AEC-Q200標準.

晶振的真空封裝技術：是指壓電石英晶振在真空封裝區域內進行封裝。1.防止外界氣體進入組件體內受到污染和增加應力的產生；2.使晶振組件在真空下電阻減小；3.氣密性高。此技術為研發及生產超小型、超薄型石英晶振必須攻克的關鍵技術之一

泰藝晶振規格	單位	XV貼片晶振頻率范圍	石英晶振基本條件
標準頻率	f_nom	8MHZ~80.0MHZ	標準頻率
儲存溫度	T_stg	-55°C ～ +125°C	裸存
工作溫度	T_use	-40°C ～ +85°C	標準溫度
激勵功率	DL	200μW Max.	推薦:1μW ～ 100μW
頻率公差	f_— l	±50 × 10^-6 (標準), (±15 × 10^-6 ～ ±50 × 10^-6 可用)	+25°C 對于超出標準的規格說明, 請聯系我們以便獲取相關的信息,http://www.mtrpxt.cn/
頻率溫度特征	f_tem	±30 × 10^-6/-20°C ～ +70°C	超出標準的規格請聯系我們.
負載電容	CL	8pF ,10PF,12PF,20PF	超出標準說明,請聯系我們.
串聯電阻(ESR)	R₁	如下表所示	-40°C—+85°C, DL = 100μW
頻率老化	f_age	±5 × 10^-6 / year Max.	+25°C,第一年

12MHZ貼片晶振,XV晶振,XVFBGCNANF-12.000000晶振

以下是石英晶振電路設計匹配問題：

一般來說，微處理器的振蕩電路由考畢茲電路顯示派生如下：

鎘和CG是外部負載電容，其中已建成的芯片組。（請參閱芯片組的規格）

Rf為具有200KΩ?1MΩ反饋電阻。它的內置芯片一般設置。

Rd為限流電阻470Ω與1KΩ?。這個阻力是沒有必要的公共電路，但僅用于具有高電源電路。

一個穩定的石英晶體振蕩器電路需要的負電阻，其值應是晶振阻力的至少五倍。它可寫為|-R|>5的Rr。

例如，為了獲得穩定的振蕩電路中，IC的負電阻的值必須小于？200Ω時的晶振電阻值是40Ω。負阻“的標準來評估一個振蕩電路的質量。在某些情況下，例如老化，熱變化，電壓變化，以及等等，電路可能不會產生振蕩的“Q”值是低的。因此，這是非常重要的衡量負電阻（-R）以下說明：

線路連接的電阻（R）與晶體串聯

（2）從起點到振蕩的停止點調整R的值。

（3）振蕩期間測量R的值。

（4）你將能夠獲得負電阻的值，|•R|= R +的Rr，和RR =晶振的阻力。

附：所連接的電路的雜散電容，可能會影響測定值。TAITIEN晶振,貼片晶振,XV晶振,XVFBGCNANF-12.000000晶振

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12MHZ貼片晶振 XV晶振 XVFBGCNANF-12.000000晶振

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