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KDS晶振,DSO221SXF晶振,藍牙晶振

頻率：1~125MHZ

尺寸：2.5*2.0mm

小型貼片石英晶振主要采用了，先進的晶片的拋光工藝技術，是晶體行業中石英晶片研磨技術中表面處理的最高技術，最終使晶片表面更光潔，平行度及平面度更好，大大的降低諧振電阻，使精度得到了很大的提升。改變了傳統的生產工藝，使產品在各項參數得到了很大的改良,外觀尺寸具有薄型表面貼片型石英晶體諧振器,特別適用于有小型化要求的市場領域,比如智能手機,無線藍牙,平板電腦等電子數碼產品.

訂購熱線：86-0755-27838351

KDS晶振,DSO221SXF晶振,藍牙晶振

日本大真空株式會社,【KDS】品牌,實力見證未來,KDS集團總公司位于日本兵庫縣加古川,在泰國,印度尼西亞,臺灣,中國天津這些大城市均有生產工廠,而天津KDS晶振工廠是全球石英晶振生產最大量的工廠,自從1993年在天津投產以來,技術更新從未間斷,從最初的32.768K晶體為主,到現在以小體積貼片晶體振蕩器為主,體積已經是全世界石英晶體振蕩器之中最小的.

高精度石英晶振的切割設計:用不同角度對晶振的石英晶棒進行切割,可獲得不同特性的石英晶片,通常我們把晶振的石英晶片對晶棒坐標軸某種方位(角度)的切割稱為石英晶片的切型.不同切型的石英晶片,因其彈性性質,壓電性質,溫度性質不同,其電特性也各異,石英耐高溫晶振目前主要使用的有AT切、BT切.其它切型還有CT、DT、GT、NT等.

普通石英壓控晶振,外觀完全使用金屬材料封裝的,產品本身采用全自動石英晶體檢測儀,以及跌落,漏氣等苛刻實驗.產品本身具有高穩定性,高可靠性的石英晶體振蕩器,焊接方面支持表面貼裝,外觀采用金屬封裝,具有充分的密封性能,晶振本身能確保其高可靠性,采用編帶包裝,可對應產品應用到自動貼片機告訴安裝,滿足無鉛焊接的高溫回流溫度曲線要求.

KDS晶振,DSO221SXF晶振,藍牙晶振,如何正確的使用有源晶振

電處理：

將電源連接到有源晶體振蕩器指定的終端,確定正確的極性這目錄所示.注意電源的正負電極逆轉或者連接到一個終端以,以為外的指定一個產品部分內的石英2520晶振,假如損壞那將不會工作.此外如果外接電源電壓高于晶振的規定電壓值,就很可能會導致石英晶振產品損壞.所以外接電壓很重要,一定要確保使用正確的額定電壓的振蕩,但如果電壓低于額定的電壓值部分產品將會不起振,或者起不到最佳精度.

機械處理

當晶振發生外置撞擊時,任何石英晶體振蕩器在遭到外部撞擊時,或者產品不小心跌落時,強烈的外置撞擊都將會導致晶振損壞,或者頻率不穩定現象.不執行任何強烈的沖擊石英晶體振蕩器.如果一個強大的沖擊已經給振蕩器確保在使用前檢查其特點.

機械振動的影響

當晶振產品上存在任何給定沖擊或受到周期性機械振動時,比如:壓電揚聲器,壓電蜂鳴器,以及喇叭等,輸出頻率和幅度會受到影響.這種現象對通信器材通信質量有影響.盡管SMD晶振產品設計可最小化這種機械振動的影響,我們推薦事先檢查并按照下列安裝指南進行操作.

有源晶振的負載電容與阻抗

負載電容與阻抗高精密貼片晶振設置一個規定的負載阻抗值.當一個值除了規定的一個設置為負載阻抗輸出頻率和輸出電平不會滿足時,指定的值這可能會導致問題例如：失真的輸出波形.特別是設置電抗,根據規范的負載阻抗.輸出頻率和輸出電平,當測量輸出頻率或輸出水平,晶體振蕩器調整的輸入阻抗,測量儀器的負載阻抗晶體振蕩器.當輸入阻抗的測量儀器,不同的負載阻抗的晶體振蕩器,測量輸出頻率或輸出水平高,阻抗阻抗測量可以忽略.

DSO221SXF_dime_jp

項目	符號	規格說明	條件
輸出頻率范圍	f0	32.768KHZ	請聯系我們以便獲取其它可用頻率的相關信息
電源電壓	VCC	1.6-3.6V	請聯系我們以了解更多相關信息
儲存溫度	T_stg	-40℃ to +85℃	裸存
工作溫度	T_use	G: -10℃ to +70℃	請聯系我們查看更多資料http://www.mtrpxt.cn
		H: -30℃ to +85℃

頻率穩定度	f_tol	J: ±50 × 10-6
		L: ±100 × 10-6
		T: ±150 × 10-6
功耗	ICC	3.5 mA Max.	無負載條件、最大工作頻率
待機電流	I_std	3.3μA Max.	ST=GND
占空比	SYM	45 % to 55 %	50 % VCC 極, L_CMOS≦15 pF
輸出電壓	VOH	VCC-0.4V Min.
輸出電壓	VOL	0.4 V Max.
輸出負載條件	L_CMOS	15 pF Max.
輸入電壓	VIH	80% VCC Max.	ST 終端
輸入電壓	VIL	20 % VCC Max.	ST 終端
上升/下降時間	tr / tf	4 ns Max.	20 % VCC to 80 % VCC 極, L_CMOS=15 pF
振蕩啟動時間	t_str	3 ms Max.	t=0 at 90 %
頻率老化	f_aging	±3 × 10-6 / year Max.	+25 ℃, 初年度,第一年

DSO221SXF晶振 2520mm晶振小體積貼片晶體振蕩器

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